MOSFET canal N Infineon 23 A 80 V Enrichissement, 8 broches, TDSON OptiMOS 3
- Code commande RS:
- 911-0799
- Référence fabricant:
- BSC340N08NS3GATMA1
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 bobine de 5000 unités)*
1 200,00 €
HT
1 450,00 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 08 octobre 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 5000 + | 0,24 € | 1 200,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 911-0799
- Référence fabricant:
- BSC340N08NS3GATMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 23A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 80V | |
| Type de Boitier | TDSON | |
| Série | OptiMOS 3 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 66mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 6.8nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 32W | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -20V, +20V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Hauteur | 1.1mm | |
| Longueur | 5.35mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 6.1mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 23A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 80V | ||
Type de Boitier TDSON | ||
Série OptiMOS 3 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 66mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 6.8nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 32W | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -20V, +20V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Hauteur 1.1mm | ||
Longueur 5.35mm | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 6.1mm | ||
Standard automobile Non | ||
Transistors MOSFET de puissance OptiMOS™3 d'Infineon, 60 à 80 V
Les produits OptiMOS™ sont disponibles dans des boîtiers haute performance pour gérer les applications les plus difficiles ce qui donne une flexibilité totale dans les espaces réduits. Ces produits d'Infineon sont conçus pour répondre aux exigences de rendement énergétique et de densité de puissance des normes de régulation de tension des applications informatiques plus pointues de la prochaine génération et pour les dépasser.
MOSFET à commutation rapide pour SMPS
Technologie optimisée pour convertisseurs c.c./c.c.
Homologué selon la norme JEDEC1 pour les applications ciblées
Canal N, niveau logique
Une excellente charge de grille x R DS(on) produit (FOM)
Très faible résistance R DS(on)
Placage compatible sans plomb
Transistors MOSFET, Infineon
Infineon propose une gamme complète et vaste de circuits MOSFET d'Infineon comprenant les familles CoolMOS, OptiMOS et StrongIRFET. Ils offrent les meilleures performances pour vous proposer plus d'efficacité, de rentabilité et une meilleure densité de puissance. Les conceptions qui exigent une qualité élevée et une meilleure protection bénéficient des transistors MOSFET conformes aux normes AEC-Q101 de l'industrie automobile.
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal N Infineon 23 A 80 V Enrichissement TDSON OptiMOS 3
- MOSFET canal N Infineon 131 A 80 V Enrichissement TDSON OptiMOS-TM5
- MOSFET canal N Infineon 74 A 80 V Enrichissement TDSON OptiMOS-TM5
- MOSFET canal N Infineon 100 A 80 V Enrichissement TDSON OptiMOS 3
- MOSFET canal N Infineon 55 A 80 V Enrichissement TDSON OptiMOS 3
- MOSFET et Diode canal N Infineon 82 A 80 V Enrichissement TDSON OptiMOS 3
- MOSFET canal N Infineon 274 A 80 V Enrichissement PG-TDSON-8-53 OptiMOS 7
- MOSFET canal N Infineon 13 A 34 V Enrichissement TDSON OptiMOS