MOSFET N Infineon 100 A 150 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 OptiMOS 3

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Code commande RS:
911-4864
Référence fabricant:
IPB072N15N3GATMA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de canal

Type N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

100A

Tension Drain Source maximum Vds

150V

Série

OptiMOS 3

Type de Boitier

TO-263

Type de montage

Surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

7.7mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

300W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

70nC

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Tension directe Vf

1.2V

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

No

Longueur

10.31mm

Hauteur

4.57mm

Standard automobile

Non

Transistors MOSFET d'alimentation Infineon OptiMOS™3, 100 V et au-delà


Transistors MOSFET, Infineon


Infineon propose une gamme complète et vaste de circuits MOSFET d'Infineon comprenant les familles CoolMOS, OptiMOS et StrongIRFET. Ils offrent les meilleures performances pour vous proposer plus d'efficacité, de rentabilité et une meilleure densité de puissance. Les conceptions qui exigent une qualité élevée et une meilleure protection bénéficient des transistors MOSFET conformes aux normes AEC-Q101 de l'industrie automobile.

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