MOSFET Infineon canal N, TO-247AC 210 A 30 V, 3 broches

Code commande RS:: 913-3840
Référence fabricant:: IRFP3703PBF
Marque:: Infineon

MOSFET Infineon canal N, TO-247AC 210 A 30 V, 3 broches

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Code commande RS:: 913-3840
Référence fabricant:: IRFP3703PBF
Marque:: Infineon

Datasheet

Transistor MOSFET de puissance à canal N, 30 V, Infineon

La gamme de transistors MOSFET de puissance discrets HEXFET®, d'Infineon, inclut des dispositifs à canal N dans des boîtiers à montage en surface et câblés. Elle comprend également des facteurs de forme capables de s'adapter à toutes les configurations de carte et tous les défis de conception thermique. Sur toute la gamme, un repère sur la résistance amoindrit les pertes de conduction, ce qui permet aux concepteurs de fournir un niveau optimal de rendement du système.

Infineon HEXFET Series MOSFET, 210A Maximum Continuous Drain Current, 3,8W Maximum Power Dissipation - IRFP3703PBF

Ce MOSFET à courant élevé est essentiel pour les applications qui nécessitent une gestion efficace de la puissance. Sa technologie HEXFET lui permet de répondre aux critères de performance pour diverses utilisations industrielles et électroniques. En tant que dispositif à canal N, il permet de gérer des courants importants et de contrôler efficacement la tension dans des systèmes semi-conducteurs robustes et efficaces.

Caractéristiques et avantages

• Gère jusqu'à 210A de courant de vidange continu
• La faible résistance à l'enclenchement de 2,8mΩ minimise les pertes de puissance
• Optimisé pour les opérations à grande vitesse avec une mise en marche et un arrêt rapides
• La configuration à transistor unique simplifie la conception des circuits

Applications

• Utilisé dans les systèmes de gestion de l'énergie pour une commutation efficace
• Appliqué à la rectification synchrone pour améliorer la conversion de l'énergie
• Intégré dans l'équipement d'automatisation industrielle pour un fonctionnement fiable
• Utilisé dans les blocs d'alimentation nécessitant un rendement élevé et une production de chaleur minimale
• Convient pour l'automobile nécessitant des composants durables

Pour quel type d'applications ce dispositif est-il le mieux adapté ?

Ce dispositif excelle dans la gestion de l'énergie, en particulier dans le redressement synchrone et l'automatisation industrielle, grâce à sa capacité à gérer des courants et des tensions élevés.

Comment le courant d'écoulement continu élevé affecte-t-il les performances ?

La capacité de gérer 210A en continu permet un transfert d'énergie efficace tout en réduisant la production de chaleur, améliorant ainsi la performance et la fiabilité globales.

Quelles sont les implications de la faible résistance à l'enclenchement ?

Une faible résistance à l'enclenchement de 2,8mΩ diminue considérablement les pertes de puissance pendant le fonctionnement, améliorant l'efficacité et aidant à la gestion thermique dans des conditions de charge élevée.

Quelle plage de températures d'utilisation ce dispositif peut-il gérer ?

Il fonctionne efficacement sur une large plage de températures allant de -55°C à +175°C, ce qui le rend adapté à divers environnements exigeants.

Comment la configuration du MOSFET améliore-t-elle la conception des circuits ?

La configuration à transistor unique rationalise les schémas de circuit, réduisant le nombre de composants requis tout en assurant un fonctionnement fiable dans les applications à grande vitesse.

Transistors MOSFET, Infineon

Infineon propose une gamme complète et vaste de circuits MOSFET d'Infineon comprenant les familles CoolMOS, OptiMOS et StrongIRFET. Ils offrent les meilleures performances pour vous proposer plus d'efficacité, de rentabilité et une meilleure densité de puissance. Les conceptions qui exigent une qualité élevée et une meilleure protection bénéficient des transistors MOSFET conformes aux normes AEC-Q101 de l'industrie automobile.

Attribut	Valeur
Type de canal	N
Courant continu de Drain maximum	210 A
Tension Drain Source maximum	30 V
Type de boîtier	TO-247AC
Série	HEXFET
Type de montage	Traversant
Nombre de broches	3
Résistance Drain Source maximum	2,8 Ω
Mode de canal	Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille	4V
Tension de seuil minimale de la grille	2V
Dissipation de puissance maximum	3,8 W
Configuration du transistor	Simple
Tension Grille Source maximum	-20 V, +20 V
Matériau du transistor	Si
Température d'utilisation maximum	+175 °C
Charge de Grille type @ Vgs	209 nC @ 10 V
Longueur	15.9mm
Nombre d'éléments par circuit	1
Largeur	5.3mm
Température de fonctionnement minimum	-55 °C
Hauteur	20.3mm