MOSFET Infineon canal N, SOT-23 5 A 30 V, 3 broches

Code commande RS:: 913-4073
Référence fabricant:: IRLML6344TRPBF
Marque:: Infineon

MOSFET Infineon canal N, SOT-23 5 A 30 V, 3 broches

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3000 - 3000	0,111 €	333,00 €
6000 - 6000	0,106 €	318,00 €
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*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 913-4073
Référence fabricant:: IRLML6344TRPBF
Marque:: Infineon

MOSFET Infineon de la série HEXFET, courant de drain continu maximum de 5A, tension de source de drain maximum de 30V - IRLML6344TRPBF

Ce MOSFET est un dispositif à canal N à montage en surface de haute performance qui convient à diverses applications dans les secteurs de l'électronique et de l'automatisation. Conçu dans un boîtier compact SOT-23, il mesure 3,04 mm de long, 1,4 mm de large et 1,02 mm de haut. Il présente d'excellentes performances thermiques, avec une plage de températures de fonctionnement allant de -55°C à +150°C.

Caractéristiques et avantages

• Offre un courant de vidange continu de 5A pour des performances robustes
• La tension drain-source maximale de 30V répond à diverses exigences
• Le faible RDS(on) de 29mΩ à VGS = 4,5V réduit les pertes de puissance
• La large plage de tension de seuil de la porte permet un fonctionnement flexible
• La capacité de dissipation d'énergie de 1,3 W améliore la fiabilité

Applications

• Idéal pour la commutation de charge des microcontrôleurs dans les systèmes électroniques
• Utilisé dans les solutions de gestion de l'énergie pour l'automobile
• Efficace dans les convertisseurs DC-DC pour une conversion efficace de l'énergie
• Convient aux systèmes de gestion de la batterie pour améliorer les performances
• Efficace dans les circuits de commande de moteurs pour les tâches d'automatisation

Quelle est la signification de la faible valeur du RDS(on) ?

La faible valeur de RDS(on) indique des pertes de conduction plus faibles, ce qui se traduit par une meilleure efficacité, en particulier dans les applications à courant élevé. Cette caractéristique est essentielle pour réduire la production de chaleur dans l'électronique de puissance.

Quelle est la plage de tension qui peut être appliquée à la jonction grille-source ?

La tension maximale de la porte-source est de ±12V, ce qui permet une flexibilité dans les conditions de fonctionnement tout en assurant l'intégrité du dispositif dans les limites nominales.

Quelles sont les performances de l'appareil à haute température ?

Avec une température de fonctionnement maximale de +150°C, le MOSFET est conçu pour résister aux environnements difficiles, garantissant un fonctionnement fiable dans les applications exigeantes.

Quels sont les avantages du montage en surface ?

La conception de montage en surface SOT-23 permet de réaliser des circuits compacts et d'améliorer la gestion thermique, ce qui en fait un produit idéal pour les assemblages électroniques modernes.

Transistors MOSFET, Infineon

Infineon propose une gamme complète et vaste de circuits MOSFET d'Infineon comprenant les familles CoolMOS, OptiMOS et StrongIRFET. Ils offrent les meilleures performances pour vous proposer plus d'efficacité, de rentabilité et une meilleure densité de puissance. Les conceptions qui exigent une qualité élevée et une meilleure protection bénéficient des transistors MOSFET conformes aux normes AEC-Q101 de l'industrie automobile.

Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.

Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Type de canal	N
	Courant continu de Drain maximum	5 A
	Tension Drain Source maximum	30 V
	Type de boîtier	SOT-23
	Série	HEXFET
	Type de montage	CMS
	Nombre de broches	3
	Résistance Drain Source maximum	37 mΩ
	Mode de canal	Enrichissement
	Tension de seuil maximale de la grille	1.1V
	Tension de seuil minimale de la grille	0.5V
	Dissipation de puissance maximum	1,3 W
	Configuration du transistor	Simple
	Tension Grille Source maximum	-12 V, +12 V
	Largeur	1.4mm
	Nombre d'éléments par circuit	1
	Matériau du transistor	Si
	Charge de Grille type @ Vgs	6,8 nC @ 4,5 V
	Longueur	3.04mm
	Température d'utilisation maximum	+150 °C
	Hauteur	1.02mm
	Température de fonctionnement minimum	-55 °C

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	Marque Infineon
	Type de canal N
	Courant continu de Drain maximum 5 A
	Tension Drain Source maximum 30 V
	Type de boîtier SOT-23
	Série HEXFET
	Type de montage CMS
	Nombre de broches 3
	Résistance Drain Source maximum 37 mΩ
	Mode de canal Enrichissement
	Tension de seuil maximale de la grille 1.1V
	Tension de seuil minimale de la grille 0.5V
	Dissipation de puissance maximum 1,3 W
	Configuration du transistor Simple
	Tension Grille Source maximum -12 V, +12 V
	Largeur 1.4mm
	Nombre d'éléments par circuit 1
	Matériau du transistor Si
	Charge de Grille type @ Vgs 6,8 nC @ 4,5 V
	Longueur 3.04mm
	Température d'utilisation maximum +150 °C
	Hauteur 1.02mm
	Température de fonctionnement minimum -55 °C