MOSFET canal N Infineon 5 A 30 V Enrichissement, 3 broches, SOT-23 HEXFET
- Code commande RS:
- 913-4073
- Référence fabricant:
- IRLML6344TRPBF
- Marque:
- Infineon
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*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 913-4073
- Référence fabricant:
- IRLML6344TRPBF
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 5A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 30V | |
| Série | HEXFET | |
| Type de Boitier | SOT-23 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 37mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 6.8nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -12V, +12V | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 1.3W | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Longueur | 3.04mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 1.4mm | |
| Hauteur | 1.02mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 5A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 30V | ||
Série HEXFET | ||
Type de Boitier SOT-23 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 37mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 6.8nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -12V, +12V | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 1.3W | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Longueur 3.04mm | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 1.4mm | ||
Hauteur 1.02mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- PH
MOSFET Infineon de la série HEXFET, courant de drain continu maximum de 5A, tension de source de drain maximum de 30V - IRLML6344TRPBF
Ce MOSFET est un dispositif à canal N à montage en surface de haute performance qui convient à diverses applications dans les secteurs de l'électronique et de l'automatisation. Conçu dans un boîtier compact SOT-23, il mesure 3,04 mm de long, 1,4 mm de large et 1,02 mm de haut. Il présente d'excellentes performances thermiques, avec une plage de températures de fonctionnement allant de -55°C à +150°C.
Caractéristiques et avantages
• Offre un courant de vidange continu de 5A pour des performances robustes
• La tension drain-source maximale de 30V répond à diverses exigences
• Le faible RDS(on) de 29mΩ à VGS = 4,5V réduit les pertes de puissance
• La large plage de tension de seuil de la porte permet un fonctionnement flexible
• La capacité de dissipation d'énergie de 1,3 W améliore la fiabilité
Applications
• Idéal pour la commutation de charge des microcontrôleurs dans les systèmes électroniques
• Utilisé dans les solutions de gestion de l'énergie pour l'automobile
• Efficace dans les convertisseurs DC-DC pour une conversion efficace de l'énergie
• Convient aux systèmes de gestion de la batterie pour améliorer les performances
• Efficace dans les circuits de commande de moteurs pour les tâches d'automatisation
Quelle est la signification de la faible valeur du RDS(on) ?
La faible valeur de RDS(on) indique des pertes de conduction plus faibles, ce qui se traduit par une meilleure efficacité, en particulier dans les applications à courant élevé. Cette caractéristique est essentielle pour réduire la production de chaleur dans l'électronique de puissance.
Quelle est la plage de tension qui peut être appliquée à la jonction grille-source ?
La tension maximale de la porte-source est de ±12V, ce qui permet une flexibilité dans les conditions de fonctionnement tout en assurant l'intégrité du dispositif dans les limites nominales.
Quelles sont les performances de l'appareil à haute température ?
Avec une température de fonctionnement maximale de +150°C, le MOSFET est conçu pour résister aux environnements difficiles, garantissant un fonctionnement fiable dans les applications exigeantes.
Quels sont les avantages du montage en surface ?
La conception de montage en surface SOT-23 permet de réaliser des circuits compacts et d'améliorer la gestion thermique, ce qui en fait un produit idéal pour les assemblages électroniques modernes.
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