MOSFET N Infineon 110 A 55 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 HEXFET

Code commande RS:: 919-4763
Référence fabricant:: IRF3205PBF
Marque:: Infineon

MOSFET N Infineon 110 A 55 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 HEXFET

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Unité	Prix par unité	le tube*
50 - 50	0,716 €	35,80 €
100 - 200	0,573 €	28,65 €
250 - 450	0,537 €	26,85 €
500 - 950	0,502 €	25,10 €
1000 +	0,466 €	23,30 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 919-4763
Référence fabricant:: IRF3205PBF
Marque:: Infineon

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Type de produit	MOSFET
	Type de canal	Type N
	Courant continu de Drain maximum Id	110A
	Tension Drain Source maximum Vds	55V
	Série	HEXFET
	Type de Boitier	TO-220
	Type de montage	Traversant
	Nombre de broches	3
	Résistance Drain Source maximum Rds	8mΩ
	Mode de canal	Enrichissement
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	146nC
	Température minimum de fonctionnement	-55°C
	Tension maximale de source de la grille Vgs	20 V
	Tension directe Vf	1.3V
	Dissipation de puissance maximum Pd	200W
	Température d'utilisation maximum	175°C
	Hauteur	8.77mm
	Normes/homologations	No
	Longueur	10.54mm
	Largeur	4.69 mm
	Standard automobile	Non

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Type de produit MOSFET
	Type de canal Type N
	Courant continu de Drain maximum Id 110A
	Tension Drain Source maximum Vds 55V
	Série HEXFET
	Type de Boitier TO-220
	Type de montage Traversant
	Nombre de broches 3
	Résistance Drain Source maximum Rds 8mΩ
	Mode de canal Enrichissement
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 146nC
	Température minimum de fonctionnement -55°C
	Tension maximale de source de la grille Vgs 20 V
	Tension directe Vf 1.3V
	Dissipation de puissance maximum Pd 200W
	Température d'utilisation maximum 175°C
	Hauteur 8.77mm
	Normes/homologations No
	Longueur 10.54mm
	Largeur 4.69 mm
	Standard automobile Non

Datasheet

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Pays d'origine :: CN

Infineon HEXFET Series MOSFET, 110A Maximum Continuous Drain Current, 55V Maximum Drain Source Voltage - IRF3205PBF

Ce MOSFET HEXFET est un composant d'électronique de puissance de haute performance conçu pour des applications exigeantes. Il présente une configuration à canal N avec un courant de drain continu maximum de 110A et une tension drain-source maximum de 55V. Le boîtier TO-220AB assure une gestion thermique efficace et convient à une utilisation dans divers environnements industriels.

Caractéristiques et avantages

• Capable de fonctionner à des températures élevées allant jusqu'à +175°C

• Offre des caractéristiques de commutation rapide pour une meilleure performance

• Excellente classification avalanche pour une plus grande durabilité

• La conception du mode d'amélioration assure un fonctionnement stable

• Conçue pour faciliter le montage à travers les trous

Applications

• Utilisé pour la conversion de puissance dans les alimentations

• Adapté à la commande de moteurs

• Utilisé dans les systèmes de gestion des batteries

• Appliqué dans les circuits de commutation à haute fréquence

• Intégrés dans les systèmes d'alimentation de l'électronique grand public

Quelles sont les caractéristiques thermiques à prendre en compte pour ce composant ?

La résistance thermique entre la jonction et le boîtier est de 0,75°C/W, et celle entre le boîtier et le puits peut être aussi faible que 0,50°C/W lorsqu'elle est appliquée sur une surface plane et graissée. Ceci est essentiel pour maintenir des performances optimales lors de scénarios à forte charge.

Comment les spécifications peuvent-elles influencer la performance globale ?

La faible résistance à l'enclenchement et le courant de drain continu élevé permettent de réduire les pertes de puissance et d'améliorer l'efficacité thermique, ce qui se traduit par une fiabilité accrue dans diverses applications.

Quelles méthodes peuvent être appliquées pour une dissipation efficace de la chaleur ?

L'utilisation d'un dissipateur thermique en conjonction avec le boîtier TO-220AB permet d'améliorer considérablement la dissipation de la chaleur pendant le fonctionnement, ce qui garantit que le dispositif reste dans des limites thermiques sûres.