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    MOSFET Infineon canal N, , TO-220AB 49 A 55 V, 3 broches

    Code commande RS:
    919-4769
    Référence fabricant:
    IRFZ44NPBF
    Marque:
    Infineon
    Infineon
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    UnitéPrix par unitéle tube*
    50 - 501,225 €61,25 €
    100 - 2001,188 €59,40 €
    250 - 4501,151 €57,55 €
    500 +1,102 €55,10 €
    *Prix donné à titre indicatif
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    919-4769
    Référence fabricant:
    IRFZ44NPBF
    Marque:
    Infineon
    Pays d'origine :
    MX

    Documentation technique


    Législation et Conformité

    Pays d'origine :
    MX

    Détail produit

    Transistor MOSFET de puissance à canal N, 55 V, Infineon


    La gamme de transistors MOSFET de puissance HEXFET® discrets, d'Infineon, inclut des dispositifs à canal N dans des boîtiers à montage en surface et câblés et des facteurs de forme capables de faire face à pratiquement toutes les dispositions de carte et tous les défis de conception thermique. Sur toute la gamme, un repère sur la résistance amoindrit les pertes de conduction, ce qui permet aux concepteurs de fournir un niveau optimal de rendement du système.


    Transistors MOSFET, Infineon


    Infineon propose une gamme complète et vaste de circuits MOSFET d'Infineon comprenant les familles CoolMOS, OptiMOS et StrongIRFET. Ils offrent les meilleures performances pour vous proposer plus d'efficacité, de rentabilité et une meilleure densité de puissance. Les conceptions qui exigent une qualité élevée et une meilleure protection bénéficient des transistors MOSFET conformes aux normes AEC-Q101 de l'industrie automobile.

    Caractéristiques techniques

    AttributValeur
    Type de canalN
    Courant continu de Drain maximum49 A
    Tension Drain Source maximum55 V
    Type de boîtierTO-220AB
    Type de montageTraversant
    Nombre de broches3
    Résistance Drain Source maximum17,5 mΩ
    Mode de canalEnrichissement
    Tension de seuil maximale de la grille4V
    Tension de seuil minimale de la grille2V
    Dissipation de puissance maximum94 W
    Configuration du transistorSimple
    Tension Grille Source maximum-20 V, +20 V
    Charge de Grille type @ Vgs63 nC @ 10 V
    Matériau du transistorSi
    Nombre d'éléments par circuit1
    Température d'utilisation maximum+175 °C
    Température de fonctionnement minimum-55 °C
    SérieHEXFET
    Hauteur8.77mm
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