MOSFET canal Type N Infineon 49 A 55 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 HEXFET Non

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Code commande RS:
919-4769
Référence fabricant:
IRFZ44NPBF
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de canal

Type N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

49A

Tension Drain Source maximum Vds

55V

Série

HEXFET

Type de Boitier

TO-220

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

17.5mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension directe Vf

1.3V

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Tension maximale de source de la grille Vgs

20 V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

63nC

Dissipation de puissance maximum Pd

94W

Température d'utilisation maximum

175°C

Largeur

4.4 mm

Longueur

10.67mm

Hauteur

8.77mm

Normes/homologations

No

Standard automobile

Non

Infineon HEXFET Series MOSFET, 49A Maximum Continuous Drain Current, 94W Maximum Power Dissipation - IRFZ44NPBF


Ce MOSFET est conçu pour les applications d'automatisation, d'électronique et d'électrotechnique. Il peut gérer des niveaux de courant élevés avec une faible résistance, améliorant ainsi l'efficacité des circuits électroniques. Grâce à la technologie HEXFET, le dispositif offre une fiabilité et une efficacité accrues dans divers environnements.

Caractéristiques et avantages


• Utilise le mode d'amélioration pour un contrôle réactif

• Faible résistance de 17,5mΩ pour une gestion efficace de l'énergie

• Vitesses de commutation rapides pour une meilleure performance du système

Applications


• Convient aux convertisseurs DC-DC

• Entraînements motorisés et systèmes de contrôle

• Systèmes d'énergie renouvelable, tels que les onduleurs solaires

Quel est l'impact de la faible résistance sur les performances ?


La faible résistance à l'enclenchement de 17,5mΩ améliore l'efficacité en minimisant les pertes d'énergie pendant le fonctionnement, ce qui est avantageux dans les circuits à courant élevé.

Comment la température affecte-t-elle le courant de vidange continu ?


Le courant de vidange continu est évalué à 49A à 25°C et diminue à 35A à 100°C, ce qui garantit une utilisation sûre dans des environnements variés.

Ce composant peut-il supporter des conditions d'avalanche répétitives ?


Oui, il est conçu pour résister à des conditions d'avalanche répétitives avec un courant d'avalanche pouvant atteindre 25A et une énergie d'avalanche de 9,4mJ, ce qui lui confère une durabilité supplémentaire.

Quel type d'application bénéficie le plus de l'utilisation de ce MOSFET ?


Ce composant est particulièrement utile dans les applications de haute puissance, notamment les commandes d'automatisation industrielle et les systèmes automobiles nécessitant une conversion d'énergie efficace.

Est-il compatible avec les conceptions de circuits imprimés standard ?


Oui, son boîtier TO-220AB est largement utilisé dans diverses configurations de circuits imprimés, ce qui permet une intégration directe dans les conceptions existantes.

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