MOSFET canal N STMicroelectronics 13 A 550 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 MDmesh M5

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Code commande RS:
920-8705
Référence fabricant:
STD18N55M5
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

13A

Tension Drain Source maximum Vds

550V

Série

MDmesh M5

Type de Boitier

TO-252

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

240mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension directe Vf

1.5V

Tension maximale de source de la grille Vgs

25V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

31nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

90W

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

No

Largeur

6.2mm

Longueur

6.6mm

Hauteur

2.4mm

Standard automobile

Non

Canal N MDmesh™ série M5, STMicroelectronics


Les transistors de puissance MOSFET MDmesh M5 sont optimisés pour les topologies PFC et PWM haute puissance. Les principales caractéristiques incluent une zone de faible perte à l'état passant par silicone combinée à une faible charge de grille. Ils sont conçus pour les applications de commutation difficile éco-énergétiques, compactes et fiables, telles que les convertisseurs d'énergie solaire, les alimentations pour les produits de consommation et les commandes d'éclairage électronique.

Transistors MOSFET, ROHM, STMicroelectronics


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