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MOSFET canal N STMicroelectronics 13 A 550 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 MDmesh M5

Code commande RS:: 761-0418
Référence fabricant:: STD18N55M5
Marque:: STMicroelectronics

MOSFET canal N STMicroelectronics 13 A 550 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 MDmesh M5

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Unité	Prix par unité	Économie
1 - 9	2,63 €	-
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100 - 499	1,57 €	40%
500 - 2499	1,55 €	41%
2500 +	1,54 €	41%

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 761-0418
Référence fabricant:: STD18N55M5
Marque:: STMicroelectronics

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	STMicroelectronics
	Type de produit	MOSFET
	Type de canal	N
	Courant continu de Drain maximum Id	13A
	Tension Drain Source maximum Vds	550V
	Type de Boitier	TO-252
	Série	MDmesh M5
	Type de montage	En surface
	Nombre de broches	3
	Résistance Drain Source maximum Rds	240mΩ
	Mode de canal	Enrichissement
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	31nC
	Dissipation de puissance maximum Pd	90W
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Tension directe Vf	1.5V
	Tension maximale de source de la grille Vgs	25V
	Température d'utilisation maximum	150°C
	Normes/homologations	No
	Largeur	6.2mm
	Hauteur	2.4mm
	Longueur	6.6mm
	Standard automobile	Non

	Sélectionner tout
	Marque STMicroelectronics
	Type de produit MOSFET
	Type de canal N
	Courant continu de Drain maximum Id 13A
	Tension Drain Source maximum Vds 550V
	Type de Boitier TO-252
	Série MDmesh M5
	Type de montage En surface
	Nombre de broches 3
	Résistance Drain Source maximum Rds 240mΩ
	Mode de canal Enrichissement
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 31nC
	Dissipation de puissance maximum Pd 90W
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Tension directe Vf 1.5V
	Tension maximale de source de la grille Vgs 25V
	Température d'utilisation maximum 150°C
	Normes/homologations No
	Largeur 6.2mm
	Hauteur 2.4mm
	Longueur 6.6mm
	Standard automobile Non

N-channel 550 V, 0.18 Ohm, 13 A, MDmesh(TM) V Power MOSFET in TO-220

Canal N MDmesh™ série M5, STMicroelectronics

Les transistors de puissance MOSFET MDmesh M5 sont optimisés pour les topologies PFC et PWM haute puissance. Les principales caractéristiques incluent une zone de faible perte à l'état passant par silicone combinée à une faible charge de grille. Ils sont conçus pour les applications de commutation difficile éco-énergétiques, compactes et fiables, telles que les convertisseurs d'énergie solaire, les alimentations pour les produits de consommation et les commandes d'éclairage électronique.

Transistors MOSFET, ROHM, STMicroelectronics

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