Transistors Bipolaires, Transistor Npn | RS
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    Transistors bipolaires

    Les transistors bipolaires sont des dispositifs à trois broches, à l'état solide, fabriqués en trois couches de silicium. Un transistor bipolaire est conçu pour amplifier le courant ; ils peuvent également fonctionner comme un commutateur. Il existe deux principaux types de transistor, PNP (positif négatif positif) ou NPN (négatif positif négatif).

    Comment est fabriqué un transistor bipolaire ?

    Les transistors bipolaires sont fabriqués en joignant deux diodes de signal à l'arrière, créant deux jonctions PN connectées en série, partageant un terminal P ou N commun. Par nature, le silicium ne conduit normalement pas bien l'électricité. Toutefois, en traitant le silicium avec certains composants chimiques (ou impuretés), le matériau et les électrons se comportent différemment. Ce processus est appelé dopage. Le processus de dopage améliore la capacité des semi-conducteurs à conduire l'électricité.

    Comment fonctionnent les transistors bipolaires ?

    Les transistors bipolaires ont deux fonctions possibles, la commutation et l'amplification. Grâce aux trois couches de matériau semi-conducteur dopé des dispositifs, l'alimentation du transistor avec une tension de signal permet au composant discret d'agir comme un isolant ou un conducteur. Ce changement intelligent fournit aux transistors deux fonctions de base, l'électronique de commutation (numérique) ou l'électronique d'amplification (analogique).

    Les transistors sont disponibles en options de montage sur panneau, en surface et par montage traversant dans un boîtier en plastique ou des versions en métal. Ils sont tous dotés de trois bornes ou broches, de la base, du collecteur et de l'émetteur.

    Ils sont également disponibles en tant que :

    • Transistors numériques : fabriqués en matériau semi-conducteur, généralement en silicium, qui conduit le courant (ou l'électricité) avec peu de résistance. Ils disposent le plus souvent d'au moins trois bornes pour une connexion facile au circuit externe.
    • Transistors UJT : fabriqués à partir d'une barre de silicone de type N légèrement dopée avec une pièce en matériau de type P, de dimensions réduites, fortement dopée et attachée à un côté. Etant donné que la barre en silicium est légèrement dopée, elle offre une très haute résistance.

    Applications des transistors bipolaires

    Les transistors sont l'un des composants discrets les plus largement utilisés dans les conceptions et circuits électroniques. Les transistors sont utilisés pour l'amplification de tous les types de signaux électriques dans les circuits composés de composants individuels plutôt que de CI (circuits intégrés).

    5432 Produits présentés pour Transistors bipolaires

    onsemi
    NPN
    20 A
    140 V
    TO-204AA
    Traversant
    250 W
    -
    Simple
    140 V
    5 V
    2 MHz
    2
    1
    Nexperia
    PNP
    -100 mA
    -45 V
    SOT-23 (TO-236AB)
    CMS
    250 mW
    125
    Simple
    50 V
    5 V
    100 MHz
    3
    1
    onsemi
    PNP
    -15 A
    -260 V
    TO-264
    Traversant
    200 W
    -
    Simple
    260 V c.c.
    5 V
    30 MHz
    3
    1
    DiodesZetex
    PNP
    -2 A
    -40 V
    SOT-89
    CMS
    2 W
    250
    Simple
    50 V
    5 V
    100 MHz
    3
    1
    onsemi
    PNP
    -1 A
    -80 V
    TO-225
    Traversant
    30 W
    30
    Simple
    80 V
    5 V
    1 MHz
    3
    1
    onsemi
    PNP
    -8 A
    -80 V
    IPAK (TO-251)
    Traversant
    20 W
    60
    Simple
    10 V c.c.
    5 V
    20 MHz
    3
    1
    onsemi
    NPN
    3 A
    100 V
    TO-220AB
    Traversant
    40 W
    10
    Simple
    100 V
    5 V
    3 MHz
    3
    1
    onsemi
    PNP
    -100 mA
    -30 V
    TO-92
    Traversant
    500 mW
    420
    Simple
    -30 V
    -5 V
    10 MHz
    3
    1
    onsemi
    NPN
    200 mA
    40 V
    TO-92
    Traversant
    625 mW
    -
    Simple
    60 V
    6 V
    100 MHz
    3
    1
    STMicroelectronics
    NPN
    25 A
    100 V
    A-247
    Traversant
    125 W
    15
    Simple
    100 V
    5 V
    3 MHz
    3
    1
    onsemi
    PNP
    -800 mA
    -45 V
    TO-92
    Traversant
    625 mW
    -
    Simple
    -
    5 V
    100 MHz
    3
    1
    onsemi
    NPN
    1 A
    40 V
    TO-92
    Traversant
    625 mW
    -
    Simple
    75 V
    6 V
    300 MHz
    3
    1
    ROHM
    PNP
    -1 A
    -30 V
    SOT-89
    CMS
    -
    270
    -
    -
    -
    -
    3
    1
    Nexperia
    NPN
    1 A
    80 V
    SOT-89
    CMS
    1,35 W
    63
    Simple
    100 V
    5 V
    180 MHz
    3
    1
    Nexperia
    PNP
    -1 A
    -100 V
    SOT-23 (TO-236AB)
    CMS
    480 mW
    150
    Simple
    120 V
    5 V
    100 MHz
    3
    1
    Renesas Electronics
    NPN/PNP
    65 mA
    8 V
    SOIC
    CMS
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    16
    5
    onsemi
    NPN
    200 mA
    40 V
    TO-92
    Traversant
    625 mW
    100
    Simple
    60 V
    6 V
    300 MHz
    3
    1
    Nexperia
    PNP
    -1 A
    -60 V
    UPAK
    CMS
    1,3 W
    63
    Simple
    60 V
    5 V
    145 MHz
    4
    1
    DiodesZetex
    NPN
    500 mA
    45 V
    SOT-323 (SC-70)
    CMS
    200 mW
    250
    Simple
    -
    5 V
    100 MHz
    3
    1
    onsemi
    PNP
    -2 A
    -60 V
    SOT-23
    CMS
    540 mW
    150
    Simple
    -80 V
    -7 V
    100 MHz
    3
    1
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