Références fabricant

Diode de silicium Non Vishay, Diode à faibles signaux, 350 mA 75 V, 2 broches, SOD-323

Code commande RS:: 180-8176
Référence fabricant:: 1N4148WS-E3-18
Marque:: Vishay

Diode de silicium Non Vishay, Diode à faibles signaux, 350 mA 75 V, 2 broches, SOD-323

Prix dégressifs sur quantité

Sous-total (1 bobine de 10000 unités)*

290,00 €

350,00 €

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Unité	Prix par unité	la bobine*
10000 - 10000	0,029 €	290,00 €
20000 +	0,028 €	280,00 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 180-8176
Référence fabricant:: 1N4148WS-E3-18
Marque:: Vishay

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.

Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Configuration de diode	Diode à faibles signaux
	Type de produit	Diode de silicium
	Courant direct maximum If	350mA
	Sous type	Diode de silicium
	Type de montage	Surface
	Type de Boitier	SOD-323
	Nombre de broches	2
	Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm	350mA
	Tension directe maximale Vf	1.2V
	Tension inverse de crête répétitive Vrrm	75V
	Température minimum de fonctionnement	-55°C
	Temps de recouvrement inverse crête trr	4ns
	Dissipation de puissance maximum Pd	200mW
	Température d'utilisation maximum	150°C
	Normes/homologations	No
	Hauteur	1.15mm
	Longueur	2.85mm
	Standard automobile	Non

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Configuration de diode Diode à faibles signaux
	Type de produit Diode de silicium
	Courant direct maximum If 350mA
	Sous type Diode de silicium
	Type de montage Surface
	Type de Boitier SOD-323
	Nombre de broches 2
	Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm 350mA
	Tension directe maximale Vf 1.2V
	Tension inverse de crête répétitive Vrrm 75V
	Température minimum de fonctionnement -55°C
	Temps de recouvrement inverse crête trr 4ns
	Dissipation de puissance maximum Pd 200mW
	Température d'utilisation maximum 150°C
	Normes/homologations No
	Hauteur 1.15mm
	Longueur 2.85mm
	Standard automobile Non

Datasheet

Pays d'origine :: CN

Diode de commutation Vishay

La diode de commutation Vishay est dotée d'une tension électrique nominale de 100 V inverse et d'un courant inverse de 100 μA. Une diode de commutation est un dispositif de jonction PN à deux bornes qui peut être utilisé pour commuter des signaux ou agir comme un redresseur à basses tensions. Il est doté d'un courant direct de 100 mA et d'une tension directe de 1,2 V.

Caractéristiques et avantages

Il s'agit d'un dispositif de commutation rapide à petit signal épitaxial en silicium

Le type de marquage est A2

Les plages de températures d'utilisation sont comprises entre -55 et 155 °C.

• La dissipation de puissance est de 200 mW

• Le temps de récupération est de 4 ns

• Dispositif de montage en surface

Applications

• Dispositifs de commutation rapide

• Microcontrôleurs

• Dispositifs contrôlés par l'alimentation

Certifications

AEC-Q101