Références fabricant

Diode de silicium Non Vishay, Diode à faibles signaux, 350 mA 75 V, 2 broches, SOD-323

Code commande RS:: 180-8553
Référence fabricant:: 1N4148WS-E3-18
Marque:: Vishay

Diode de silicium Non Vishay, Diode à faibles signaux, 350 mA 75 V, 2 broches, SOD-323

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Unité	Prix par unité	le paquet*
200 - 800	0,064 €	12,80 €
1000 - 1800	0,061 €	12,20 €
2000 - 4800	0,035 €	7,00 €
5000 - 9800	0,028 €	5,60 €
10000 +	0,025 €	5,00 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 180-8553
Référence fabricant:: 1N4148WS-E3-18
Marque:: Vishay

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.

Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Type de produit	Diode de silicium
	Configuration de diode	Diode à faibles signaux
	Courant direct maximum If	350mA
	Sous type	Diode de silicium
	Type de montage	Surface
	Type de Boitier	SOD-323
	Nombre de broches	2
	Température minimum de fonctionnement	-55°C
	Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm	350mA
	Temps de recouvrement inverse crête trr	4ns
	Tension inverse de crête répétitive Vrrm	75V
	Tension directe maximale Vf	1.2V
	Dissipation de puissance maximum Pd	200mW
	Température d'utilisation maximum	150°C
	Normes/homologations	No
	Longueur	2.85mm
	Hauteur	1.15mm
	Standard automobile	Non

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Type de produit Diode de silicium
	Configuration de diode Diode à faibles signaux
	Courant direct maximum If 350mA
	Sous type Diode de silicium
	Type de montage Surface
	Type de Boitier SOD-323
	Nombre de broches 2
	Température minimum de fonctionnement -55°C
	Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm 350mA
	Temps de recouvrement inverse crête trr 4ns
	Tension inverse de crête répétitive Vrrm 75V
	Tension directe maximale Vf 1.2V
	Dissipation de puissance maximum Pd 200mW
	Température d'utilisation maximum 150°C
	Normes/homologations No
	Longueur 2.85mm
	Hauteur 1.15mm
	Standard automobile Non

Datasheet

Pays d'origine :: CN

Diode de commutation Vishay

La diode de commutation Vishay est dotée d'une tension électrique nominale de 100 V inverse et d'un courant inverse de 100 μA. Une diode de commutation est un dispositif de jonction PN à deux bornes qui peut être utilisé pour commuter des signaux ou agir comme un redresseur à basses tensions. Il est doté d'un courant direct de 100 mA et d'une tension directe de 1,2 V.

Caractéristiques et avantages

Il s'agit d'un dispositif de commutation rapide à petit signal épitaxial en silicium

Le type de marquage est A2

Les plages de températures d'utilisation sont comprises entre -55 et 155 °C.

• La dissipation de puissance est de 200 mW

• Le temps de récupération est de 4 ns

• Dispositif de montage en surface

Applications

• Dispositifs de commutation rapide

• Microcontrôleurs

• Dispositifs contrôlés par l'alimentation

Certifications

AEC-Q101