Diode de silicium Non Vishay, Simple, 250 mA 75 V, 2 broches, SOD-323

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5,70 €

HT

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le paquet*
100 - 9000,057 €5,70 €
1000 - 24000,054 €5,40 €
2500 - 49000,051 €5,10 €
5000 - 99000,037 €3,70 €
10000 +0,026 €2,60 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
Code commande RS:
180-8689
Référence fabricant:
BAS16WS-E3-08
Marque:
Vishay
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Marque

Vishay

Courant direct maximum If

250mA

Type de produit

Diode de silicium

Configuration de diode

Simple

Type de montage

Surface

Sous type

Diode de silicium

Type de Boitier

SOD-323

Nombre de broches

2

Température minimum de fonctionnement

-65°C

Tension directe maximale Vf

1.25V

Temps de recouvrement inverse crête trr

6ns

Dissipation de puissance maximum Pd

1.25W

Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm

9A

Tension inverse de crête répétitive Vrrm

75V

Température d'utilisation maximum

150°C

Longueur

2.85mm

Largeur

1.5 mm

Normes/homologations

No

Hauteur

1.15mm

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
CN

Diode de commutation Vishay


La diode de commutation Vishay est dotée d'une tension électrique nominale de 100 V inverse et d'un courant inverse de 1 μA. Une diode de commutation est un dispositif de jonction PN à deux bornes qui peut être utilisé pour commuter des signaux ou agir comme un redresseur à basses tensions. Il est doté d'un courant direct de 50 mA et d'une tension directe de 1,25 V.

Caractéristiques et avantages


Il s'agit d'un dispositif de commutation rapide à petit signal épitaxial en silicium

Le type de marquage est A6

Les plages de températures d'utilisation sont comprises entre -55 et 150 °C.

• La dissipation de puissance est de 200 mW

• Le temps de récupération est de 6 ns

• Dispositif de montage en surface

Applications


• Dispositifs de commutation rapide

• Microcontrôleurs

Certifications


AEC-Q101

Certifié de niveau E3

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