Diode de silicium Non Vishay, Simple, 250 mA 75 V, 2 broches, SOD-323

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Code commande RS:
180-8200
Référence fabricant:
BAS16WS-E3-08
Marque:
Vishay
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Marque

Vishay

Courant direct maximum If

250mA

Configuration de diode

Simple

Type de produit

Diode de silicium

Type de montage

Surface

Sous type

Diode de silicium

Type de Boitier

SOD-323

Nombre de broches

2

Tension inverse de crête répétitive Vrrm

75V

Temps de recouvrement inverse crête trr

6ns

Dissipation de puissance maximum Pd

1.25W

Tension directe maximale Vf

1.25V

Température minimum de fonctionnement

-65°C

Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm

9A

Température d'utilisation maximum

150°C

Longueur

2.85mm

Hauteur

1.15mm

Normes/homologations

No

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
CN

Diode de commutation Vishay


La diode de commutation Vishay est dotée d'une tension électrique nominale de 100 V inverse et d'un courant inverse de 1 μA. Une diode de commutation est un dispositif de jonction PN à deux bornes qui peut être utilisé pour commuter des signaux ou agir comme un redresseur à basses tensions. Il est doté d'un courant direct de 50 mA et d'une tension directe de 1,25 V.

Caractéristiques et avantages


Il s'agit d'un dispositif de commutation rapide à petit signal épitaxial en silicium

Le type de marquage est A6

Les plages de températures d'utilisation sont comprises entre -55 et 150 °C.

• La dissipation de puissance est de 200 mW

• Le temps de récupération est de 6 ns

• Dispositif de montage en surface

Applications


• Dispositifs de commutation rapide

• Microcontrôleurs

Certifications


AEC-Q101

Certifié de niveau E3

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