STMicroelectronics Série EEPROM, 32 kB, série I2C, 450 ns UFDFPN-8, 8 broches, 8

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Code commande RS:
239-6323
Référence fabricant:
M24C32-DFMC6TG
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Taille de la mémoire

32kB

Type de produit

Série EEPROM

Type d'interface

série I2C

Type de Boitier

UFDFPN-8

Type de montage

Surface

Nombre de broches

8

Fréquence d'horloge maximum

1MHz

Configuration

4k x 8 Bit

Tension d'alimentation minimum

1.7V

Tension d'alimentation maximum

5.5V

Nombre de bits par mot

8

Température minimum de fonctionnement

-40°C

Température d'utilisation maximum

85°C

Longueur

1.7mm

Hauteur

0.55mm

Série

M24C32-DF

Largeur

1.4 mm

Normes/homologations

No

Standard automobile

AEC-Q100

Rétention des données

200year

Nombre de mots

4K

Temps d'accès aléatoire maximum

450ns

EEPROM de bus I2C série 32 Kbits


Le M24C32 est un I 32 Kbits2EEPROM (mémoire programmable effaçable électriquement) compatible C organisée en 4 K x 8 bits.

Le M24C32-W peut fonctionner avec une tension d'alimentation de 2,5 à 5,5 V, le M24C32-R peut fonctionner avec une tension d'alimentation de 1,8 à 5,5 V, et le M24C32-F et le M24C32-DF peuvent fonctionner avec une tension d'alimentation de 1,7 à 5,5 V, sur une plage de température ambiante de -40 °C / +85 °C ; tandis que le M24C32-X peut fonctionner avec une tension d'alimentation de 1,6 à 5,5 V sur une plage de température ambiante de -20 °C / +85 °C.

Le M24C32-D offre une page supplémentaire, appelée page d'identification (32 octets). La page d'identification peut être utilisée pour stocker des paramètres d'application sensibles qui peuvent être (plus tard) verrouillés en permanence en mode lecture seule.

Caractéristiques


Compatible with all I²C bus modes :

1 MHz

400 kHz

100 kHz

Memory array :

32 Kbit (4 Kbyte) of EEPROM

Page size : 32 byte

Additional Write lockable page (M24C32-D order codes)

Single supply voltage :

1,7 V to 5,5 V over –40 °C / +85 °C

1,6 V to 5,5 V over –20 °C / +85 °C

Write :

Byte Write within 5 ms

Page Write within 5 ms

Modes de lecture aléatoire et séquentielle

Protection en écriture de l'ensemble du réseau de mémoire

Protection améliorée contre les décharges électrostatiques/d'arrêt

Plus de 4 millions de cycles d'écriture

Plus de 200 ans de conservation des données

Boîtiers

PDIP8 ECOPACK2®

SO8 ECOPACK2®

TSSOP8 ECOPACK2®

UFDFPN8 ECOPACK2®

WLCSP ECOPACK2®

UFDFPN5 ECOPACK2®

Galette non sciée (chaque matrice est testée)

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