IGBT AEC-Q101 STMicroelectronicsCanal-Type N Simple, 119 A, 650 V, 3 broches, TO-247 1 Traversant
- Code commande RS:
- 215-009
- Référence fabricant:
- STGWA50M65DF2AG
- Marque:
- STMicroelectronics
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
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*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 215-009
- Référence fabricant:
- STGWA50M65DF2AG
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Courant continu de Collecteur maximum lc | 119A | |
| Type de produit | IGBT | |
| Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo | 650V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 576W | |
| Nombre de transistors | 1 | |
| Type de Boitier | TO-247 | |
| Configuration | Simple | |
| Type de montage | Traversant | |
| Type de canal | Type N | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO | ±20 V | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum | 2V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Largeur | 15.70 to 15.90 mm | |
| Longueur | 20.1mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Courant continu de Collecteur maximum lc 119A | ||
Type de produit IGBT | ||
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo 650V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 576W | ||
Nombre de transistors 1 | ||
Type de Boitier TO-247 | ||
Configuration Simple | ||
Type de montage Traversant | ||
Type de canal Type N | ||
Nombre de broches 3 | ||
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO ±20 V | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 2V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Largeur 15.70 to 15.90 mm | ||
Longueur 20.1mm | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
- Pays d'origine :
- CN
L'IGBT de STMicroelectronics a été développé à l'aide d'une structure de terrain de porte de tranchée propriétaire avancée. Le dispositif fait partie des IGBT de la série M, qui représentent un équilibre optimal entre les performances et l'efficacité du système d'inverseur où la faible perte et la fonctionnalité de court-circuit sont essentielles. En outre, le coefficient de température VCE(sat) positif et la distribution étroite des paramètres se traduisent par un fonctionnement en parallèle plus sûr.
Courant de queue minimisé
Distribution serrée des paramètres
Parallèlement plus sûr