IGBT AEC-Q101 STMicroelectronicsCanal-Type N Simple, 119 A, 650 V, 3 broches, TO-247 1 Traversant

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215-009
Référence fabricant:
STGWA50M65DF2AG
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de produit

IGBT

Courant continu de Collecteur maximum lc

119A

Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo

650V

Nombre de transistors

1

Dissipation de puissance maximum Pd

576W

Type de Boitier

TO-247

Configuration

Simple

Type de montage

Traversant

Type de canal

Type N

Nombre de broches

3

Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO

±20 V

Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum

2V

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Température d'utilisation maximum

175°C

Largeur

15.9mm

Normes/homologations

No

Longueur

20.1mm

Standard automobile

AEC-Q101

Pays d'origine :
CN
L'IGBT de STMicroelectronics a été développé à l'aide d'une structure de terrain de porte de tranchée propriétaire avancée. Le dispositif fait partie des IGBT de la série M, qui représentent un équilibre optimal entre les performances et l'efficacité du système d'inverseur où la faible perte et la fonctionnalité de court-circuit sont essentielles. En outre, le coefficient de température VCE(sat) positif et la distribution étroite des paramètres se traduisent par un fonctionnement en parallèle plus sûr.

Courant de queue minimisé

Distribution serrée des paramètres

Parallèlement plus sûr

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