IGBT, STGWA50M65DF2AG, , 119 A, 650 V, A-247, 3 broches

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Code commande RS:
215-009
Référence fabricant:
STGWA50M65DF2AG
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Courant continu de Collecteur maximum

119 A

Tension Collecteur Emetteur maximum

650 V

Tension Grille Emetteur maximum

±20V

Dissipation de puissance maximum

576 W

Nombre de transistors

1

Type de boîtier

A-247

Configuration

Simple

Type de montage

Traversant

Type de canal

N

Nombre de broches

3

Pays d'origine :
CN
L'IGBT de STMicroelectronics a été développé à l'aide d'une structure propriétaire avancée d'arrêt de champ de la grille de tranchée. Le dispositif fait partie des IGBT de la série M, qui représentent un équilibre optimal entre les performances et l'efficacité du système d'inverseur où la faible perte et la fonctionnalité de court-circuit sont essentielles. En outre, le coefficient de température positif de VCE(sat) et la distribution serrée des paramètres permettent un fonctionnement en parallèle plus sûr.

Courant de queue minimisé
Distribution serrée des paramètres
Mise en parallèle plus sûre

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