IGBT AEC-Q101 STMicroelectronicsCanal-NPN Simple, 216 A, 650 V, 9 broches, ECOPACK 2 Surface

Prix dégressifs sur quantité

Sous-total (1 unité)*

18,01 €

HT

21,61 €

TTC

Add to Basket
Sélectionner ou entrer la quantité
En stock
  • Plus 200 unité(s) expédiée(s) à partir du 23 mars 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
1 - 918,01 €
10 - 4917,11 €
50 - 9916,24 €
100 - 14915,43 €
150 +14,65 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
Code commande RS:
273-5094
Référence fabricant:
STGSB200M65DF2AG
Marque:
STMicroelectronics
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

STMicroelectronics

Courant continu de Collecteur maximum lc

216A

Type de produit

IGBT

Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo

650V

Nombre de transistors

2

Dissipation de puissance maximum Pd

714W

Type de Boitier

ECOPACK

Configuration

Simple

Type de montage

Surface

Type de canal

NPN

Nombre de broches

9

Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum

2.05V

Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO

20 V

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Température d'utilisation maximum

175°C

Largeur

22 mm

Longueur

4mm

Normes/homologations

UL1557

Hauteur

5.5mm

Standard automobile

AEC-Q101

Pays d'origine :
CN
La série M IGBT à faible perte d'arrêt sur le terrain de la grille à tranchée de classe automobile de STMicroelectronics dans un boîtier ACEPACK SMIT. Ce dispositif est un IGBT développé à l'aide d'une structure d'arrêt de champ de grille de tranchée propriétaire avancée. Le dispositif fait partie des IGBT de la série M, qui représentent un équilibre optimal entre les performances et l'efficacité du système d'inverseur où la faible perte et la fonctionnalité de court-circuit sont essentielles.

Distribution étroite des paramètres

Faible résistance thermique

Dice sur substrat en cuivre à liaison directe (DBC)

Nos clients ont également consulté