IGBT STMicroelectronicsCanal-Type N, 40 A, 650 V, 3 broches, TO-247 1

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Code commande RS:
204-3945
Référence fabricant:
STGWA20HP65FB2
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de produit

IGBT

Courant continu de Collecteur maximum lc

40A

Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo

650V

Nombre de transistors

1

Type de Boitier

TO-247

Type de canal

Type N

Nombre de broches

3

Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO

20 V

Pays d'origine :
CN
L'IGBT 650 V de la série HB2 de STMicroelectronics représente une évolution de la structure d'arrêt de terrain de la porte de tranchée propriétaire avancée. Les performances de la série HB2 sont optimisées en termes de conduction, grâce à un meilleur comportement du VCE(sat) à des valeurs de courant faibles, ainsi qu'en termes de réduction de l'énergie de commutation. La diode A utilisée uniquement à des fins de protection est co-emballée en antiparallèle avec l'IGBT. Le résultat est un produit spécialement conçu pour maximiser l'efficacité pour une large gamme d'applications rapides.

Température de jonction maximale de 175 °C

Diode de protection encapsulée

Courant de queue minimisé

Distribution serrée des paramètres

Faible résistance thermique

Coefficient de température positif