IGBT, STGP10M65DF2, , 20 A, 650 V, A-220, 3 broches, Simple
- Code commande RS:
- 906-2795
- Référence fabricant:
- STGP10M65DF2
- Marque:
- STMicroelectronics
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Uniquement disponible en livraison standard
Prix pour l'unité (par multiple de 5)
1,128 €
HT
1,354 €
TTC
Unité | Prix par unité | le paquet* |
---|---|---|
5 - 20 | 1,128 € | 5,64 € |
25 - 45 | 1,074 € | 5,37 € |
50 - 120 | 0,962 € | 4,81 € |
125 - 245 | 0,868 € | 4,34 € |
250 + | 0,844 € | 4,22 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 906-2795
- Référence fabricant:
- STGP10M65DF2
- Marque:
- STMicroelectronics
Documentation technique
Législation et Conformité
- Pays d'origine :
- CN
Détail produit
Transistors bipolaires à portée isolée (IGBT), STMicroelectronics
IGBT Discretes et modules, STMicroelectronics
Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
---|---|
Courant continu de Collecteur maximum | 20 A |
Tension Collecteur Emetteur maximum | 650 V |
Tension Grille Emetteur maximum | ±20V |
Dissipation de puissance maximum | 115 W |
Type de boîtier | A-220 |
Type de montage | Traversant |
Type de canal | N |
Nombre de broches | 3 |
Configuration du transistor | Simple |
Dimensions | 10.4 x 4.6 x 15.75mm |
Indice énergétique | 0.66mJ |
Température d'utilisation maximum | +175 °C |
Capacité de grille | 840pF |
Température de fonctionnement minimum | -55 °C |
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