IGBT Non Infineon, 40 A, 650 V, TO-220 Traversant
- Code commande RS:
- 258-0988
- Référence fabricant:
- IGP40N65F5XKSA1
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 tube de 50 unités)*
73,90 €
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Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 50 + | 1,478 € | 73,90 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 258-0988
- Référence fabricant:
- IGP40N65F5XKSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Courant continu de Collecteur maximum lc | 40A | |
| Type de produit | IGBT | |
| Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo | 650V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 250W | |
| Type de Boitier | TO-220 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Température minimum de fonctionnement | -40°C | |
| Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum | 1.6V | |
| Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO | ±20 ±30 V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Série | High Speed Fifth Generation | |
| Normes/homologations | JEDEC | |
| Hauteur | 4.57mm | |
| Longueur | 29.95mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Courant continu de Collecteur maximum lc 40A | ||
Type de produit IGBT | ||
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo 650V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 250W | ||
Type de Boitier TO-220 | ||
Type de montage Traversant | ||
Température minimum de fonctionnement -40°C | ||
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 1.6V | ||
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO ±20 ±30 V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Série High Speed Fifth Generation | ||
Normes/homologations JEDEC | ||
Hauteur 4.57mm | ||
Longueur 29.95mm | ||
Standard automobile Non | ||
Le transistor IGBT TRENCHSTOP 5 650 V, 40 A à commutation rigide d'Infineon est discret dans un boîtier TO-247 pour des exigences de haut rendement. Meilleur rendement de sa catégorie, ce qui se traduit par une température de jonction et de boîtier plus basse et une plus grande fiabilité de l'appareil.
Réduction de 00 mV en V CE(sat)
Faible C OES/E OSS
Coefficient de température positif léger V CE(sat)
Stabilité de température de V f
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