IGBT AEC-Q101 STMicroelectronicsCanal-NPN Simple, 216 A, 650 V, 9 broches, ECOPACK 2 En surface
- Code commande RS:
- 273-5093
- Référence fabricant:
- STGSB200M65DF2AG
- Marque:
- STMicroelectronics
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|---|---|---|
| 200 - 200 | 14,452 € | 2 890,40 € |
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*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 273-5093
- Référence fabricant:
- STGSB200M65DF2AG
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de produit | IGBT | |
| Courant continu de Collecteur maximum lc | 216A | |
| Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo | 650V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 714W | |
| Nombre de transistors | 2 | |
| Configuration | Simple | |
| Type de Boitier | ECOPACK | |
| Type de montage | En surface | |
| Type de canal | NPN | |
| Nombre de broches | 9 | |
| Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO | 20 V | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum | 2.05V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Longueur | 4mm | |
| Normes/homologations | UL1557 | |
| Hauteur | 5.5mm | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de produit IGBT | ||
Courant continu de Collecteur maximum lc 216A | ||
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo 650V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 714W | ||
Nombre de transistors 2 | ||
Configuration Simple | ||
Type de Boitier ECOPACK | ||
Type de montage En surface | ||
Type de canal NPN | ||
Nombre de broches 9 | ||
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO 20 V | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 2.05V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Longueur 4mm | ||
Normes/homologations UL1557 | ||
Hauteur 5.5mm | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
- Pays d'origine :
- CN
La série M IGBT à faible perte d'arrêt sur le terrain de la grille à tranchée de classe automobile de STMicroelectronics dans un boîtier ACEPACK SMIT. Ce dispositif est un IGBT développé à l'aide d'une structure d'arrêt de champ de grille de tranchée propriétaire avancée. Le dispositif fait partie des IGBT de la série M, qui représentent un équilibre optimal entre les performances et l'efficacité du système d'inverseur où la faible perte et la fonctionnalité de court-circuit sont essentielles.
Distribution étroite des paramètres
Faible résistance thermique
Dice sur substrat en cuivre à liaison directe (DBC)
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