IGBT AEC-Q101 STMicroelectronicsCanal-NPN Simple, 216 A, 650 V, 9 broches, ECOPACK 2 Surface

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Code commande RS:
273-5093
Référence fabricant:
STGSB200M65DF2AG
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de produit

IGBT

Courant continu de Collecteur maximum lc

216A

Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo

650V

Nombre de transistors

2

Dissipation de puissance maximum Pd

714W

Configuration

Simple

Type de Boitier

ECOPACK

Type de montage

Surface

Type de canal

NPN

Nombre de broches

9

Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum

2.05V

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO

20 V

Température d'utilisation maximum

175°C

Largeur

22 mm

Longueur

4mm

Hauteur

5.5mm

Normes/homologations

UL1557

Standard automobile

AEC-Q101

Pays d'origine :
CN
La série M IGBT à faible perte d'arrêt sur le terrain de la grille à tranchée de classe automobile de STMicroelectronics dans un boîtier ACEPACK SMIT. Ce dispositif est un IGBT développé à l'aide d'une structure d'arrêt de champ de grille de tranchée propriétaire avancée. Le dispositif fait partie des IGBT de la série M, qui représentent un équilibre optimal entre les performances et l'efficacité du système d'inverseur où la faible perte et la fonctionnalité de court-circuit sont essentielles.

Distribution étroite des paramètres

Faible résistance thermique

Dice sur substrat en cuivre à liaison directe (DBC)

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