IGBT, FF2400R12IP7PBPSA1, , 2,4 kA, 1 200 V
- Code commande RS:
- 349-363
- Référence fabricant:
- FF2400R12IP7PBPSA1
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 unité)*
1 380,91 €
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 + | 1 380,91 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 349-363
- Référence fabricant:
- FF2400R12IP7PBPSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Courant continu de Collecteur maximum | 2,4 kA | |
| Tension Collecteur Emetteur maximum | 1 200 V | |
| Tension Grille Emetteur maximum | ±20V | |
| Nombre de transistors | 2 | |
| Dissipation de puissance maximum | 20 mW | |
| Configuration | Demi-pont | |
| Type de montage | Montage à visser | |
| Type de canal | N | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Courant continu de Collecteur maximum 2,4 kA | ||
Tension Collecteur Emetteur maximum 1 200 V | ||
Tension Grille Emetteur maximum ±20V | ||
Nombre de transistors 2 | ||
Dissipation de puissance maximum 20 mW | ||
Configuration Demi-pont | ||
Type de montage Montage à visser | ||
Type de canal N | ||
- Pays d'origine :
- DE
Le module double IGBT PrimePACK 3+ d'Infineon avec TRENCHSTOP IGBT7, diode 7 contrôlée par l'émetteur et NTC est conçu pour les applications de haute puissance, offrant des performances et une fiabilité exceptionnelles. Il présente la densité de puissance la plus élevée, ce qui permet un fonctionnement efficace dans des espaces compacts. Avec le meilleur VCEsat de sa catégorie, ce module garantit une faible tension de saturation, ce qui améliore l'efficacité globale et réduit les pertes de puissance.
Augmentation de la densité de puissance
Moins d'efforts de refroidissement pour la même puissance de sortie
La densité de puissance élevée permet le saut de trame
Éviter la mise en parallèle des modules IGBT
Boîtier normalisé
Moins d'efforts de refroidissement pour la même puissance de sortie
La densité de puissance élevée permet le saut de trame
Éviter la mise en parallèle des modules IGBT
Boîtier normalisé
