IGBT, IHW40N65R5XKSA1, , 40 A, 650 V, A-247, 3 broches, Simple

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Code commande RS:
110-7143
Référence fabricant:
IHW40N65R5XKSA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Courant continu de Collecteur maximum

40 A

Tension Collecteur Emetteur maximum

650 V

Tension Grille Emetteur maximum

±20V

Dissipation de puissance maximum

230 W

Type de boîtier

A-247

Type de montage

Traversant

Type de canal

N

Nombre de broches

3

Configuration du transistor

Simple

Dimensions

16.13 x 5.21 x 21.1mm

Température de fonctionnement minimum

-40 °C

Température d'utilisation maximum

+175 °C

Indice énergétique

1.91mJ

Capacité de grille

4740pF

Transistors IGBT Infineon TrenchStop, 600 et 650 V


Une gamme de transistors IGBT d'Infineon, avec des tensions nominales du collecteur-émetteur de 600 et 650 V avec la technologie TrenchStop™. La gamme comprend des circuits avec diode intégrée haute vitesse, antiparallèle à récupération rapide.

• Plage de tensions de l'émetteur-collecteur 600 à 650 V
• VCEsat très faible
• Pertes de mise hors tension faibles
• Courant d'extrémité court
• IEM faible
• Température de jonction maximale 175 °C


IGBT Discretes et modules, Infineon


Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.

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