IGBT, IKWH40N65WR6XKSA1, , 40 A, 650 V, To-247-3-HCC, 3 broches, Simple
- Code commande RS:
- 232-6740
- Référence fabricant:
- IKWH40N65WR6XKSA1
- Marque:
- Infineon
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 2,77 € | 5,54 € |
| 20 - 48 | 2,465 € | 4,93 € |
| 50 - 98 | 2,295 € | 4,59 € |
| 100 - 198 | 2,135 € | 4,27 € |
| 200 + | 1,995 € | 3,99 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 232-6740
- Référence fabricant:
- IKWH40N65WR6XKSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Courant continu de Collecteur maximum | 40 A | |
| Tension Collecteur Emetteur maximum | 650 V | |
| Tension Grille Emetteur maximum | ±20V | |
| Dissipation de puissance maximum | 78 W | |
| Nombre de transistors | 1 | |
| Type de boîtier | To-247-3-HCC | |
| Configuration | Simple | |
| Type de montage | Traversant | |
| Type de canal | N | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Configuration du transistor | Simple | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Courant continu de Collecteur maximum 40 A | ||
Tension Collecteur Emetteur maximum 650 V | ||
Tension Grille Emetteur maximum ±20V | ||
Dissipation de puissance maximum 78 W | ||
Nombre de transistors 1 | ||
Type de boîtier To-247-3-HCC | ||
Configuration Simple | ||
Type de montage Traversant | ||
Type de canal N | ||
Nombre de broches 3 | ||
Configuration du transistor Simple | ||
L'IGBT TrenchStop 5 WR6 à conduction inverse 40 A d'Infineon est fourni dans un boîtier TO-247-3-HCC à haut dégagement et à faible vieillissement. Il est spécialement optimisé pour les PFC pour RAC/CCC et l'application d'inverseur de soudage. Un excellent rapport prix/performances de l'IGBT WR6 permet d'accéder à la technologie hautes performances également pour les clients sensibles aux coûts. WR6 offre le VCEsat le plus faible, et ESW qui permet la fréquence de commutation jusqu'à 75 kHz. L'IGBT WR6 permet également une conception plus fiable avec des jeux et des distances de fluage plus élevées.
Diode monolithiquement intégrée
Pertes de commutation les plus faibles
Fiabilité améliorée contre la contamination du boîtier
Pertes de commutation les plus faibles
Fiabilité améliorée contre la contamination du boîtier