IGBT, IKQ75N120CT2XKSA1, , 150 A, 1200 V, A-247, 3 broches, Simple

En réponse aux demandes du marché exigeant d'accueillir des quantités de silicium chaque fois plus importantes dans des boîtiers plus petits et plus économes en termes d'espace, Infineon présente le nouveau boîtier TO-247PLUS pour IGBT de 1 200 V. Plus haute intensité de courant, meilleur comportement thermique. Le TO-247PLUS possède les mêmes dimensions extérieures que le TO-247 standard, mais grâce à l'absence de trous de vis, il permet de bénéficier d'une intensité allant jusqu'à 75 A dans 1 200 V, associé à une diode de 75 A à plein régime.

IGBT à forte densité de puissance allant jusqu'à 75 A et 1 200 V associé à une diode de 75 A TO-247
R th(jh) plus faible de 20 % par rapport au TO-247 à 3 broches
Ligne de fuite de broche collecteur-émetteur prolongée de 4,25 mm
Ligne de fuite prolongée du clip grâce à l'avant entièrement encapsulé du boîtier
Plus forte densité de puissance du système - augmentation de l'I c permettant de conserver les mêmes performances thermiques du système
Résistance thermique R th(jh) plus faible et capacité de dissipation thermique améliorée d'environ 15 % du TO-247PLUS par rapport au TO-247
Dispositif plus fiable et à durée de vie plus longue