IGBT, IKQ75N120CT2XKSA1, , 150 A, 1200 V, A-247, 3 broches, Simple
- Code commande RS:
- 162-3285
- Référence fabricant:
- IKQ75N120CT2XKSA1
- Marque:
- Infineon
Prix dégressifs sur quantité
Sous-total (1 tube de 30 unités)*
387,36 €
HT
464,82 €
TTC
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Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | 12,912 € | 387,36 € |
| 60 - 60 | 12,267 € | 368,01 € |
| 90 + | 11,492 € | 344,76 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 162-3285
- Référence fabricant:
- IKQ75N120CT2XKSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Courant continu de Collecteur maximum | 150 A | |
| Tension Collecteur Emetteur maximum | 1200 V | |
| Tension Grille Emetteur maximum | ±20V | |
| Dissipation de puissance maximum | 938 W | |
| Nombre de transistors | 1 | |
| Type de boîtier | A-247 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Type de canal | P | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Vitesse de découpage | 20kHz | |
| Configuration du transistor | Simple | |
| Dimensions | 15.9 x 5.1 x 21.1mm | |
| Température de fonctionnement minimum | -40 °C | |
| Capacité de grille | 4856pF | |
| Température d'utilisation maximum | +175 °C | |
| Indice énergétique | 10.8mJ | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Courant continu de Collecteur maximum 150 A | ||
Tension Collecteur Emetteur maximum 1200 V | ||
Tension Grille Emetteur maximum ±20V | ||
Dissipation de puissance maximum 938 W | ||
Nombre de transistors 1 | ||
Type de boîtier A-247 | ||
Type de montage Traversant | ||
Type de canal P | ||
Nombre de broches 3 | ||
Vitesse de découpage 20kHz | ||
Configuration du transistor Simple | ||
Dimensions 15.9 x 5.1 x 21.1mm | ||
Température de fonctionnement minimum -40 °C | ||
Capacité de grille 4856pF | ||
Température d'utilisation maximum +175 °C | ||
Indice énergétique 10.8mJ | ||
En réponse aux demandes du marché exigeant d'accueillir des quantités de silicium chaque fois plus importantes dans des boîtiers plus petits et plus économes en termes d'espace, Infineon présente le nouveau boîtier TO-247PLUS pour IGBT de 1 200 V. Plus haute intensité de courant, meilleur comportement thermique. Le TO-247PLUS possède les mêmes dimensions extérieures que le TO-247 standard, mais grâce à l'absence de trous de vis, il permet de bénéficier d'une intensité allant jusqu'à 75 A dans 1 200 V, associé à une diode de 75 A à plein régime.
IGBT à forte densité de puissance allant jusqu'à 75 A et 1 200 V associé à une diode de 75 A TO-247
R th(jh) plus faible de 20 % par rapport au TO-247 à 3 broches
Ligne de fuite de broche collecteur-émetteur prolongée de 4,25 mm
Ligne de fuite prolongée du clip grâce à l'avant entièrement encapsulé du boîtier
Plus forte densité de puissance du système - augmentation de l'I c permettant de conserver les mêmes performances thermiques du système
Résistance thermique R th(jh) plus faible et capacité de dissipation thermique améliorée d'environ 15 % du TO-247PLUS par rapport au TO-247
Dispositif plus fiable et à durée de vie plus longue
R th(jh) plus faible de 20 % par rapport au TO-247 à 3 broches
Ligne de fuite de broche collecteur-émetteur prolongée de 4,25 mm
Ligne de fuite prolongée du clip grâce à l'avant entièrement encapsulé du boîtier
Plus forte densité de puissance du système - augmentation de l'I c permettant de conserver les mêmes performances thermiques du système
Résistance thermique R th(jh) plus faible et capacité de dissipation thermique améliorée d'environ 15 % du TO-247PLUS par rapport au TO-247
Dispositif plus fiable et à durée de vie plus longue