IGBT Non InfineonCanal-Type P, 150 A, 1200 V 20 kHz, 3 broches, TO-247 Traversant
- Code commande RS:
- 162-3285
- Référence fabricant:
- IKQ75N120CT2XKSA1
- Marque:
- Infineon
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Sous-total (1 tube de 30 unités)*
214,20 €
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Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | 7,14 € | 214,20 € |
| 60 - 60 | 6,783 € | 203,49 € |
| 90 + | 6,355 € | 190,65 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 162-3285
- Référence fabricant:
- IKQ75N120CT2XKSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | IGBT | |
| Courant continu de Collecteur maximum lc | 150A | |
| Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo | 1200V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 938W | |
| Type de Boitier | TO-247 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Type de canal | Type P | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Vitesse de découpage | 20kHz | |
| Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum | 2.15V | |
| Température minimum de fonctionnement | -40°C | |
| Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO | 20 V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Série | TrenchStop | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Energie | 10.8mJ | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit IGBT | ||
Courant continu de Collecteur maximum lc 150A | ||
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo 1200V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 938W | ||
Type de Boitier TO-247 | ||
Type de montage Traversant | ||
Type de canal Type P | ||
Nombre de broches 3 | ||
Vitesse de découpage 20kHz | ||
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 2.15V | ||
Température minimum de fonctionnement -40°C | ||
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO 20 V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Série TrenchStop | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
Energie 10.8mJ | ||
En réponse aux demandes du marché exigeant d'accueillir des quantités de silicium chaque fois plus importantes dans des boîtiers plus petits et plus économes en termes d'espace, Infineon présente le nouveau boîtier TO-247PLUS pour IGBT de 1 200 V. Plus haute intensité de courant, meilleur comportement thermique. Le TO-247PLUS possède les mêmes dimensions extérieures que le TO-247 standard, mais grâce à l'absence de trous de vis, il permet de bénéficier d'une intensité allant jusqu'à 75 A dans 1 200 V, associé à une diode de 75 A à plein régime.
IGBT à forte densité de puissance allant jusqu'à 75 A et 1 200 V associé à une diode de 75 A TO-247
R th(jh) plus faible de 20 % par rapport au TO-247 à 3 broches
Ligne de fuite de broche collecteur-émetteur prolongée de 4,25 mm
Ligne de fuite prolongée du clip grâce à l'avant entièrement encapsulé du boîtier
Plus forte densité de puissance du système - augmentation de l'I c permettant de conserver les mêmes performances thermiques du système
Résistance thermique R th(jh) plus faible et capacité de dissipation thermique améliorée d'environ 15 % du TO-247PLUS par rapport au TO-247
Dispositif plus fiable et à durée de vie plus longue
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