IGBT, IGB10N60TATMA1, , 10 A, 600 V, D2PAK (TO-263), 3 broches, Simple
- Code commande RS:
- 165-5613
- Référence fabricant:
- IGB10N60TATMA1
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 bobine de 1000 unités)*
510,00 €
HT
610,00 €
TTC
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 1000 + | 0,51 € | 510,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 165-5613
- Référence fabricant:
- IGB10N60TATMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Courant continu de Collecteur maximum | 10 A | |
| Tension Collecteur Emetteur maximum | 600 V | |
| Tension Grille Emetteur maximum | ±20V | |
| Dissipation de puissance maximum | 110 W | |
| Type de boîtier | D2PAK (TO-263) | |
| Type de montage | CMS | |
| Type de canal | N | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Vitesse de découpage | 1MHz | |
| Configuration du transistor | Simple | |
| Dimensions | 10.31 x 9.45 x 4.57mm | |
| Température d'utilisation maximum | +175 °C | |
| Température de fonctionnement minimum | -40 °C | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Courant continu de Collecteur maximum 10 A | ||
Tension Collecteur Emetteur maximum 600 V | ||
Tension Grille Emetteur maximum ±20V | ||
Dissipation de puissance maximum 110 W | ||
Type de boîtier D2PAK (TO-263) | ||
Type de montage CMS | ||
Type de canal N | ||
Nombre de broches 3 | ||
Vitesse de découpage 1MHz | ||
Configuration du transistor Simple | ||
Dimensions 10.31 x 9.45 x 4.57mm | ||
Température d'utilisation maximum +175 °C | ||
Température de fonctionnement minimum -40 °C | ||
Statut RoHS non applicable
- Pays d'origine :
- CN
Transistors IGBT Infineon TrenchStop, 600 et 650 V
Une gamme de transistors IGBT d'Infineon, avec des tensions nominales du collecteur-émetteur de 600 et 650 V avec la technologie TrenchStop™. La gamme comprend des circuits avec diode intégrée haute vitesse, antiparallèle à récupération rapide.
Plage de tensions de l'émetteur-collecteur 600 à 650 V
VCEsat très faible
Pertes de mise hors tension faibles
Courant d'extrémité court
IEM faible
Température de jonction maximale 175 °C
VCEsat très faible
Pertes de mise hors tension faibles
Courant d'extrémité court
IEM faible
Température de jonction maximale 175 °C
IGBT Discretes et modules, Infineon
Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.
