IGBT, IGB50N65S5ATMA1, , 80 A, 650 V, PG-TO263, 3 broches, Simple

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Code commande RS:
226-6062
Référence fabricant:
IGB50N65S5ATMA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Courant continu de Collecteur maximum

80 A

Tension Collecteur Emetteur maximum

650 V

Tension Grille Emetteur maximum

30V

Nombre de transistors

1

Dissipation de puissance maximum

270 W

Type de boîtier

PG-TO263

Configuration

Simple

Type de canal

N

Nombre de broches

3

Configuration du transistor

Simple

Infineon IGB50N65S est un IGBT 50 A avec diode antiparallèle sans besoin de composant de serrage de porte. Dans ces caractéristiques de chute de courant souple sans courant de queue et il est excellent pour la mise en parallèle.

Très faible VCEsat de 1,35 V à 25 °C.
Température de jonction maximale TVJ 175 °C.
Quatre fois le courant nominal

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