IGBT, IGB50N65S5ATMA1, , 80 A, 650 V, PG-TO263, 3 broches, Simple
- Code commande RS:
- 226-6063
- Référence fabricant:
- IGB50N65S5ATMA1
- Marque:
- Infineon
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Sous-total (1 paquet de 5 unités)*
16,13 €
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 3,226 € | 16,13 € |
| 25 - 45 | 2,902 € | 14,51 € |
| 50 - 120 | 2,708 € | 13,54 € |
| 125 - 245 | 2,516 € | 12,58 € |
| 250 + | 2,356 € | 11,78 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 226-6063
- Référence fabricant:
- IGB50N65S5ATMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Courant continu de Collecteur maximum | 80 A | |
| Tension Collecteur Emetteur maximum | 650 V | |
| Tension Grille Emetteur maximum | 30V | |
| Nombre de transistors | 1 | |
| Dissipation de puissance maximum | 270 W | |
| Type de boîtier | PG-TO263 | |
| Configuration | Simple | |
| Type de canal | N | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Configuration du transistor | Simple | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Courant continu de Collecteur maximum 80 A | ||
Tension Collecteur Emetteur maximum 650 V | ||
Tension Grille Emetteur maximum 30V | ||
Nombre de transistors 1 | ||
Dissipation de puissance maximum 270 W | ||
Type de boîtier PG-TO263 | ||
Configuration Simple | ||
Type de canal N | ||
Nombre de broches 3 | ||
Configuration du transistor Simple | ||
Infineon IGB50N65S est un IGBT 50 A avec diode antiparallèle sans besoin de composant de serrage de porte. Dans ces caractéristiques de chute de courant souple sans courant de queue et il est excellent pour la mise en parallèle.
Très faible VCEsat de 1,35 V à 25 °C.
Température de jonction maximale TVJ 175 °C.
Quatre fois le courant nominal
Température de jonction maximale TVJ 175 °C.
Quatre fois le courant nominal