IGBT Non InfineonCanal-Type N, 50 A, 650 V, 3 broches, TO-263 Surface 1
- Code commande RS:
- 218-4389
- Référence fabricant:
- IGB50N65H5ATMA1
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 bobine de 1000 unités)*
1 329,00 €
HT
1 595,00 €
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 1000 + | 1,329 € | 1 329,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 218-4389
- Référence fabricant:
- IGB50N65H5ATMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Courant continu de Collecteur maximum lc | 50A | |
| Type de produit | IGBT | |
| Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo | 650V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 270W | |
| Nombre de transistors | 1 | |
| Type de Boitier | TO-263 | |
| Type de montage | Surface | |
| Type de canal | Type N | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum | 1.65V | |
| Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO | ±20 ±30 V | |
| Température minimum de fonctionnement | -40°C | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | JEDEC47/20/22 | |
| Hauteur | 4.57mm | |
| Longueur | 10.31mm | |
| Série | High Speed Fifth Generation | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Courant continu de Collecteur maximum lc 50A | ||
Type de produit IGBT | ||
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo 650V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 270W | ||
Nombre de transistors 1 | ||
Type de Boitier TO-263 | ||
Type de montage Surface | ||
Type de canal Type N | ||
Nombre de broches 3 | ||
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 1.65V | ||
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO ±20 ±30 V | ||
Température minimum de fonctionnement -40°C | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations JEDEC47/20/22 | ||
Hauteur 4.57mm | ||
Longueur 10.31mm | ||
Série High Speed Fifth Generation | ||
Standard automobile Non | ||
La technologie IGBT5 Infineon TrenchStop redéfinit les IGBT de la meilleure classe, ce qui entraîne une faible température de jonction et de boîtier, ce qui permet une plus grande fiabilité du dispositif en fournissant des performances inégalées en termes d'efficacité pour les applications de commutation difficiles. Il est doté d'une tension d'émetteur de collecteur de 650 V et d'un courant de collecteur de 80 A.
Conception à densité de puissance plus élevée
Augmentation de 50 V de la tension de bus possible sans compromettre la fiabilité
Coefficient de température positif doux
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