IGBT, IGB50N65H5ATMA1, , 80 A, 650 V, TO-263, 3 broches
- Code commande RS:
- 218-4389
- Référence fabricant:
- IGB50N65H5ATMA1
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 bobine de 1000 unités)*
1 329,00 €
HT
1 595,00 €
TTC
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 1000 + | 1,329 € | 1 329,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 218-4389
- Référence fabricant:
- IGB50N65H5ATMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Courant continu de Collecteur maximum | 80 A | |
| Tension Collecteur Emetteur maximum | 650 V | |
| Tension Grille Emetteur maximum | 20V | |
| Dissipation de puissance maximum | 270 W | |
| Nombre de transistors | 1 | |
| Type de boîtier | TO-263 | |
| Type de canal | N | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Courant continu de Collecteur maximum 80 A | ||
Tension Collecteur Emetteur maximum 650 V | ||
Tension Grille Emetteur maximum 20V | ||
Dissipation de puissance maximum 270 W | ||
Nombre de transistors 1 | ||
Type de boîtier TO-263 | ||
Type de canal N | ||
Nombre de broches 3 | ||
La technologie IGBT5 Infineon TrenchStop redéfinit les IGBT de la meilleure classe, ce qui entraîne une faible température de jonction et de boîtier, ce qui permet une plus grande fiabilité du dispositif en fournissant des performances inégalées en termes d'efficacité pour les applications de commutation difficiles. Il est doté d'une tension d'émetteur de collecteur de 650 V et d'un courant de collecteur de 80 A.
Conception à densité de puissance plus élevée
Augmentation de 50 V de la tension de bus possible sans compromettre la fiabilité
Coefficient de température positif doux
Augmentation de 50 V de la tension de bus possible sans compromettre la fiabilité
Coefficient de température positif doux
