IGBT Non InfineonCanal-Type N, 50 A, 650 V, 3 broches, TO-263 Surface 1

Voir l’ensemble des IGBT

Sous-total (1 bobine de 1000 unités)*

1 329,00 €

HT

1 595,00 €

TTC

Add to Basket
Sélectionner ou entrer la quantité
Informations sur le stock actuellement indisponibles. - Veuillez vérifier plus tard
Unité
Prix par unité
la bobine*
1000 +1,329 €1 329,00 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:
218-4389
Référence fabricant:
IGB50N65H5ATMA1
Marque:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Type de produit

IGBT

Courant continu de Collecteur maximum lc

50A

Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo

650V

Nombre de transistors

1

Dissipation de puissance maximum Pd

270W

Type de Boitier

TO-263

Type de montage

Surface

Type de canal

Type N

Nombre de broches

3

Température minimum de fonctionnement

-40°C

Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO

±20 ±30 V

Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum

1.65V

Température d'utilisation maximum

175°C

Hauteur

4.57mm

Largeur

9.45 mm

Longueur

10.31mm

Normes/homologations

JEDEC47/20/22

Série

High Speed Fifth Generation

Standard automobile

Non

La technologie IGBT5 Infineon TrenchStop redéfinit les IGBT de la meilleure classe, ce qui entraîne une faible température de jonction et de boîtier, ce qui permet une plus grande fiabilité du dispositif en fournissant des performances inégalées en termes d'efficacité pour les applications de commutation difficiles. Il est doté d'une tension d'émetteur de collecteur de 650 V et d'un courant de collecteur de 80 A.

Conception à densité de puissance plus élevée

Augmentation de 50 V de la tension de bus possible sans compromettre la fiabilité

Coefficient de température positif doux

Nos clients ont également consulté