IGBT, IGB50N65H5ATMA1, , 80 A, 650 V, TO-263, 3 broches

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Code commande RS:
218-4389
Référence fabricant:
IGB50N65H5ATMA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Courant continu de Collecteur maximum

80 A

Tension Collecteur Emetteur maximum

650 V

Tension Grille Emetteur maximum

20V

Dissipation de puissance maximum

270 W

Nombre de transistors

1

Type de boîtier

TO-263

Type de canal

N

Nombre de broches

3

La technologie IGBT5 Infineon TrenchStop redéfinit les IGBT de la meilleure classe, ce qui entraîne une faible température de jonction et de boîtier, ce qui permet une plus grande fiabilité du dispositif en fournissant des performances inégalées en termes d'efficacité pour les applications de commutation difficiles. Il est doté d'une tension d'émetteur de collecteur de 650 V et d'un courant de collecteur de 80 A.

Conception à densité de puissance plus élevée
Augmentation de 50 V de la tension de bus possible sans compromettre la fiabilité
Coefficient de température positif doux

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