IGBT Non InfineonCanal-Type N, 50 A, 650 V, 3 broches, TO-263 Surface 1

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Code commande RS:
218-4390
Référence fabricant:
IGB50N65H5ATMA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de produit

IGBT

Courant continu de Collecteur maximum lc

50A

Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo

650V

Dissipation de puissance maximum Pd

270W

Nombre de transistors

1

Type de Boitier

TO-263

Type de montage

Surface

Type de canal

Type N

Nombre de broches

3

Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum

1.65V

Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO

±20 ±30 V

Température minimum de fonctionnement

-40°C

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

JEDEC47/20/22

Hauteur

4.57mm

Longueur

10.31mm

Largeur

9.45 mm

Série

High Speed Fifth Generation

Standard automobile

Non

La technologie IGBT5 Infineon TrenchStop redéfinit les IGBT de la meilleure classe, ce qui entraîne une faible température de jonction et de boîtier, ce qui permet une plus grande fiabilité du dispositif en fournissant des performances inégalées en termes d'efficacité pour les applications de commutation difficiles. Il est doté d'une tension d'émetteur de collecteur de 650 V et d'un courant de collecteur de 80 A.

Conception à densité de puissance plus élevée

Augmentation de 50 V de la tension de bus possible sans compromettre la fiabilité

Coefficient de température positif doux

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