IGBT Vishay, canal Type P, 8 broches , PowerPAK SO-8, montage En surface
- Code commande RS:
- 180-7319
- Numéro d'article Distrelec:
- 303-97-242
- Référence fabricant:
- SI7489DP-T1-E3
- Marque:
- Vishay
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- 180-7319
- Numéro d'article Distrelec:
- 303-97-242
- Référence fabricant:
- SI7489DP-T1-E3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de produit | IGBT | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 83W | |
| Type de Boitier | PowerPAK SO-8 | |
| Type de montage | En surface | |
| Type de canal | Type P | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO | 50 V | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Hauteur | 1.12mm | |
| Normes/homologations | IEC 61249-2-21 | |
| Longueur | 6.25mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Energie | 61mJ | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de produit IGBT | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 83W | ||
Type de Boitier PowerPAK SO-8 | ||
Type de montage En surface | ||
Type de canal Type P | ||
Nombre de broches 8 | ||
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO 50 V | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Hauteur 1.12mm | ||
Normes/homologations IEC 61249-2-21 | ||
Longueur 6.25mm | ||
Standard automobile Non | ||
Energie 61mJ | ||
- Pays d'origine :
- CN
Transistor MOSFET de Vishay
Le transistor MOSFET SO-8 à canal P à montage en surface de Vishay est un nouveau produit d'âge avec une tension source de drain de 100 V et une tension source Il est doté d'une résistance drain-source de 41 mohms à une tension de grille-source de 10 V. Il est doté d'une dissipation de puissance maximale de 83 W et d'un courant de drain continu de 28 A. Il est doté d'une tension d'entraînement minimum et maximum de 4,5 V et 10 V respectivement. Ce produit a été optimisé pour réduire les pertes de commutation et de conduction. Le transistor MOSFET offre un excellent rendement ainsi qu'une longue durée de vie productive sans compromettre les performances ou la fonctionnalité.
Caractéristiques et avantages
• Sans halogène
Nouveau boîtier PowerPAK à faible résistance thermique avec profil bas de 1,07 mm
Les plages de températures d'utilisation sont comprises entre -55 et 150 °C.
• PWM optimisé
Transistor MOSFET de puissance TrenchFET
Applications
• entraînements de moteur demi-pont
Convertisseurs abaisseurs non synchrones haute tension
• Commutateurs de charge
Certifications
ANSI/ESD S20.20:2014
BS EN 61340-5-1:2007
CEI 61249-2-21
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