IGBT Non VishayCanal-Type N, 6 broches, PowerPAK SC-70-6L Surface

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Code commande RS:
180-7336
Référence fabricant:
SIA456DJ-T1-GE3
Marque:
Vishay
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Marque

Vishay

Type de produit

IGBT

Dissipation de puissance maximum Pd

19W

Type de Boitier

PowerPAK SC-70-6L

Type de montage

Surface

Type de canal

Type N

Nombre de broches

6

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO

16 V

Température d'utilisation maximum

150°C

Hauteur

0.8mm

Longueur

2.15mm

Normes/homologations

RoHS

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
CN

Transistor MOSFET de Vishay


Le transistor MOSFET SC-70-6 à montage en surface de Vishay est un nouveau produit d'âge avec une tension source de drain de 200 V et une tension source Il est doté d'une résistance drain-source de 1 280 mohms à une tension de grille-source de 4,5 V. Il est doté d'une dissipation de puissance maximale de 19 W et d'un courant de drain continu de 2,6 A. Il est doté d'une tension d'entraînement minimum et maximum de 1,8 V et 4,5 V respectivement. Il est doté d'une application dans le convertisseur de boost pour les appareils portables. Ce produit a été optimisé pour réduire les pertes de commutation et de conduction. Le transistor MOSFET offre un excellent rendement ainsi qu'une longue durée de vie productive sans compromettre les performances ou la fonctionnalité.

Caractéristiques et avantages


• Sans halogène

Faible résistance à l'état passant

Nouveau boîtier PowerPAK SC-70 thermiquement amélioré - Zone à encombrement réduit

Les plages de températures d'utilisation sont comprises entre -55 et 150 °C.

Transistor MOSFET de puissance TrenchFET

Certifications


ANSI/ESD S20.20:2014

BS EN 61340-5-1:2007

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