IGBT Non VishayCanal-Type N, 6 broches, PowerPAK SC-70-6L Surface
- Code commande RS:
- 180-7793
- Référence fabricant:
- SIA456DJ-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 10 + | 0,286 € | 2,86 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 180-7793
- Référence fabricant:
- SIA456DJ-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de produit | IGBT | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 19W | |
| Type de Boitier | PowerPAK SC-70-6L | |
| Type de montage | Surface | |
| Type de canal | Type N | |
| Nombre de broches | 6 | |
| Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO | 16 V | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Longueur | 2.15mm | |
| Hauteur | 0.8mm | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de produit IGBT | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 19W | ||
Type de Boitier PowerPAK SC-70-6L | ||
Type de montage Surface | ||
Type de canal Type N | ||
Nombre de broches 6 | ||
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO 16 V | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Longueur 2.15mm | ||
Hauteur 0.8mm | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Transistor MOSFET de Vishay
Le transistor MOSFET SC-70-6 à montage en surface de Vishay est un nouveau produit d'âge avec une tension source de drain de 200 V et une tension source Il est doté d'une résistance drain-source de 1 280 mohms à une tension de grille-source de 4,5 V. Il est doté d'une dissipation de puissance maximale de 19 W et d'un courant de drain continu de 2,6 A. Il est doté d'une tension d'entraînement minimum et maximum de 1,8 V et 4,5 V respectivement. Il est doté d'une application dans le convertisseur de boost pour les appareils portables. Ce produit a été optimisé pour réduire les pertes de commutation et de conduction. Le transistor MOSFET offre un excellent rendement ainsi qu'une longue durée de vie productive sans compromettre les performances ou la fonctionnalité.
Caractéristiques et avantages
• Sans halogène
Faible résistance à l'état passant
Nouveau boîtier PowerPAK SC-70 thermiquement amélioré - Zone à encombrement réduit
Les plages de températures d'utilisation sont comprises entre -55 et 150 °C.
Transistor MOSFET de puissance TrenchFET
Certifications
ANSI/ESD S20.20:2014
BS EN 61340-5-1:2007
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