IGBT Non VishayCanal-Type P, 8 broches, PowerPAK 1212-8 Surface

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Code commande RS:
180-7866
Référence fabricant:
SI7121ADN-T1-GE3
Marque:
Vishay
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Marque

Vishay

Type de produit

IGBT

Dissipation de puissance maximum Pd

27.8W

Type de Boitier

PowerPAK 1212-8

Type de montage

Surface

Type de canal

Type P

Nombre de broches

8

Température minimum de fonctionnement

50°C

Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO

25 V

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

RoHS

Hauteur

1.12mm

Longueur

3.61mm

Standard automobile

Non

Energie

9.8mJ

Pays d'origine :
CN

Transistor MOSFET de Vishay


Le transistor MOSFET PowerPAK-1212-8 à montage en surface de Vishay est un nouveau produit d'âge avec une tension source de drain de 30 V et une tension source Il est doté d'une résistance drain-source de 15 mm à une tension de grille-source de 10 V. Il est doté d'une dissipation de puissance maximale de 27,8 W et d'un courant de drain continu de 18 A. Il est doté d'une tension d'entraînement minimum et maximum de 4,5 V et 10 V respectivement. Ce produit a été optimisé pour réduire les pertes de commutation et de conduction. Avec l'aide de ce transistor MOSFET, d'excellentes performances et un rendement peuvent être obtenus à moindre coût. Le transistor MOSFET offre un excellent rendement ainsi qu'une longue durée de vie productive sans compromettre les performances ou la fonctionnalité.

Caractéristiques et avantages


• Sans halogène

Boîtier Powerpak à faible résistance thermique avec petite taille

La puissance de dissipation maximale est de 27,8 W.

Les plages de températures d'utilisation sont comprises entre -50 et 150 °C.

Transistor MOSFET de puissance TrenchFET

Applications


Informatique mobile

• Commutateurs d'adaptateur

• Commutateurs de charge - Gestion de batterie

• Ordinateurs portables

• Gestion de l'alimentation

Certifications


ANSI/ESD S20.20:2014

BS EN 61340-5-1:2007

• testé Rg

Testé par l'ISU

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