IGBT Non VishayCanal-Type P, 8 broches, PowerPAK 1212-8 Surface
- Code commande RS:
- 180-7308
- Référence fabricant:
- SI7121ADN-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*
468,00 €
HT
561,00 €
TTC
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,156 € | 468,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 180-7308
- Référence fabricant:
- SI7121ADN-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de produit | IGBT | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 27.8W | |
| Type de Boitier | PowerPAK 1212-8 | |
| Type de montage | Surface | |
| Type de canal | Type P | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO | 25 V | |
| Température minimum de fonctionnement | 50°C | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Hauteur | 1.12mm | |
| Longueur | 3.61mm | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Energie | 9.8mJ | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de produit IGBT | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 27.8W | ||
Type de Boitier PowerPAK 1212-8 | ||
Type de montage Surface | ||
Type de canal Type P | ||
Nombre de broches 8 | ||
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO 25 V | ||
Température minimum de fonctionnement 50°C | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Hauteur 1.12mm | ||
Longueur 3.61mm | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
Energie 9.8mJ | ||
- Pays d'origine :
- CN
Transistor MOSFET de Vishay
Le transistor MOSFET PowerPAK-1212-8 à montage en surface de Vishay est un nouveau produit d'âge avec une tension source de drain de 30 V et une tension source Il est doté d'une résistance drain-source de 15 mm à une tension de grille-source de 10 V. Il est doté d'une dissipation de puissance maximale de 27,8 W et d'un courant de drain continu de 18 A. Il est doté d'une tension d'entraînement minimum et maximum de 4,5 V et 10 V respectivement. Ce produit a été optimisé pour réduire les pertes de commutation et de conduction. Avec l'aide de ce transistor MOSFET, d'excellentes performances et un rendement peuvent être obtenus à moindre coût. Le transistor MOSFET offre un excellent rendement ainsi qu'une longue durée de vie productive sans compromettre les performances ou la fonctionnalité.
Caractéristiques et avantages
• Sans halogène
Boîtier Powerpak à faible résistance thermique avec petite taille
La puissance de dissipation maximale est de 27,8 W.
Les plages de températures d'utilisation sont comprises entre -50 et 150 °C.
Transistor MOSFET de puissance TrenchFET
Applications
Informatique mobile
• Commutateurs d'adaptateur
• Commutateurs de charge - Gestion de batterie
• Ordinateurs portables
• Gestion de l'alimentation
Certifications
ANSI/ESD S20.20:2014
BS EN 61340-5-1:2007
• testé Rg
Testé par l'ISU
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