IGBT, SI7121ADN-T1-GE3

Le transistor MOSFET PowerPAK-1212-8 à montage en surface de Vishay est un nouveau produit d'âge avec une tension source de drain de 30 V et une tension source Il est doté d'une résistance drain-source de 15 mm à une tension de grille-source de 10 V. Il est doté d'une dissipation de puissance maximale de 27,8 W et d'un courant de drain continu de 18 A. Il est doté d'une tension d'entraînement minimum et maximum de 4,5 V et 10 V respectivement. Ce produit a été optimisé pour réduire les pertes de commutation et de conduction. Avec l'aide de ce transistor MOSFET, d'excellentes performances et un rendement peuvent être obtenus à moindre coût. Le transistor MOSFET offre un excellent rendement ainsi qu'une longue durée de vie productive sans compromettre les performances ou la fonctionnalité.

• Sans halogène
Boîtier Powerpak à faible résistance thermique avec petite taille
La puissance de dissipation maximale est de 27,8 W.
Les plages de températures d'utilisation sont comprises entre -50 et 150 °C.
Transistor MOSFET de puissance TrenchFET

Informatique mobile
• Commutateurs d'adaptateur
• Commutateurs de charge - Gestion de batterie
• Ordinateurs portables
• Gestion de l'alimentation

ANSI/ESD S20.20:2014
BS EN 61340-5-1:2007
• testé Rg
Testé par l'ISU