MOSFET canal Type P Vishay 35 A 40 V, 8 broches, PowerPAK 1212-8 Non
- Code commande RS:
- 180-7360
- Numéro d'article Distrelec:
- 303-97-243
- Référence fabricant:
- SIS443DN-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
Informations sur le stock actuellement non accessibles
- Code commande RS:
- 180-7360
- Numéro d'article Distrelec:
- 303-97-243
- Référence fabricant:
- SIS443DN-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | Type P | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 35A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 40V | |
| Type de Boitier | PowerPAK 1212-8 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.0117Ω | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 52W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 41.5nC | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Longueur | 3.61mm | |
| Largeur | 3.61mm | |
| Hauteur | 0.79mm | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal Type P | ||
Courant continu de Drain maximum Id 35A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 40V | ||
Type de Boitier PowerPAK 1212-8 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.0117Ω | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 52W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 41.5nC | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Longueur 3.61mm | ||
Largeur 3.61mm | ||
Hauteur 0.79mm | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Transistor MOSFET de Vishay
Le transistor MOSFET PowerPAK-1212-8 à montage en surface de Vishay est un nouveau produit d'âge avec une tension source de drain de 40 V et une tension source Il est doté d'une résistance drain-source de 11,7 mohms à une tension de grille-source de 10 V. Il est doté d'une dissipation de puissance maximale de 52 W et d'un courant de drain continu de 35 A. Il est doté d'une tension d'entraînement minimum et maximum de 4,5 V et 10 V respectivement. Ce produit a été optimisé pour réduire les pertes de commutation et de conduction. Le transistor MOSFET offre un excellent rendement ainsi qu'une longue durée de vie productive sans compromettre les performances ou la fonctionnalité.
Caractéristiques et avantages
Les plages de températures d'utilisation sont comprises entre -55 et 150 °C.
Transistor MOSFET de puissance TrenchFET
Applications
• Commutateurs d'adaptateur
• Convertisseurs c.c./c.c.
• Commutateurs de charge
Informatique mobile
• Ordinateurs portables
• Gestion de l'alimentation
Certifications
ANSI/ESD S20.20:2014
BS EN 61340-5-1:2007
• testé Rg
Testé par l'ISU
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