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    MOSFET Vishay canal P, PowerPAK 1212-8SH 35 A 30 V, 8 broches

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    Unité
    Uniquement disponible en livraison standard

    Prix pour l'unité (en bobine de 3000)

    0,268 €

    HT

    0,322 €

    TTC

    Unité
    Prix par unité
    la bobine*
    3000 +0,268 €804,00 €

    *Prix donné à titre indicatif

    Code commande RS:
    188-4892
    Référence fabricant:
    SiSH101DN-T1-GE3
    Marque:
    Vishay
    Attribut
    Valeur
    Type de canalP
    Courant continu de Drain maximum35 A
    Tension Drain Source maximum30 V
    Type de boîtierPowerPAK 1212-8SH
    Type de montageCMS
    Nombre de broches8
    Résistance Drain Source maximum13 MΩ
    Mode de canalEnrichissement
    Tension de seuil maximale de la grille2.5V
    Tension de seuil minimale de la grille1.2V
    Dissipation de puissance maximum52 W
    Configuration du transistorSimple
    Tension Grille Source maximum±25 V
    Nombre d'éléments par circuit1
    Température d'utilisation maximum+150 °C
    Longueur3.3mm
    Largeur3.3mm
    Charge de Grille type @ Vgs68 nC @ 15 V
    Tension directe de la diode1.2V
    Hauteur0.93mm
    Température de fonctionnement minimum-55 °C

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