IGBT, SIA433EDJ-T1-GE3

Le transistor MOSFET PowerPAK-SC70-6 à montage en surface de Vishay est un nouveau produit d'âge avec une tension source de drain de 20 V et une tension source Il est doté d'une résistance drain-source de 18 mm à une tension de grille-source de 4,5 V. Il est doté d'une dissipation de puissance maximale de 19 W et d'un courant de drain continu de 12 A. Il est doté d'une tension d'entraînement minimum et maximum de 1,8 V et 4,5 V respectivement. Ce produit a été optimisé pour réduire les pertes de commutation et de conduction. Le transistor MOSFET offre un excellent rendement ainsi qu'une longue durée de vie productive sans compromettre les performances ou la fonctionnalité.

Protection ESD intégrée avec diode Zener
• Sans halogène
Composant sans plomb (Pb)
Faible résistance à l'état passant
Nouveau boîtier PowerPAK SC-70 thermiquement amélioré
Les plages de températures d'utilisation sont comprises entre -55 et 150 °C.
• Zone à encombrement réduit
Transistor MOSFET de puissance TrenchFET
• Les performances ESD typiques sont de 1 800 V.

• Commutateurs de batterie
• Commutateurs de chargeur
• Commutateurs de charge
• Appareils portables

ANSI/ESD S20.20:2014
BS EN 61340-5-1:2007
• testé Rg