IGBT, FGH75T65SHDTL4, , 150 A, 650 V, A-247, 4 broches, Simple
- Code commande RS:
- 181-1866
- Référence fabricant:
- FGH75T65SHDTL4
- Marque:
- onsemi
Actuellement indisponible
Nous ne savons pas si cet article sera de nouveau disponible. RS a l'intention de le retirer de son assortiment sous peu.
- Code commande RS:
- 181-1866
- Référence fabricant:
- FGH75T65SHDTL4
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Courant continu de Collecteur maximum | 150 A | |
| Tension Collecteur Emetteur maximum | 650 V | |
| Tension Grille Emetteur maximum | ±20V | |
| Nombre de transistors | 1 | |
| Dissipation de puissance maximum | 455 W | |
| Type de boîtier | A-247 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Type de canal | P | |
| Nombre de broches | 4 | |
| Vitesse de découpage | 1MHz | |
| Configuration du transistor | Simple | |
| Dimensions | 15.8 x 5.2 x 22.74mm | |
| Indice énergétique | 160mJ | |
| Température de fonctionnement minimum | -55 °C | |
| Température d'utilisation maximum | +175 °C | |
| Capacité de grille | 3710pF | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Courant continu de Collecteur maximum 150 A | ||
Tension Collecteur Emetteur maximum 650 V | ||
Tension Grille Emetteur maximum ±20V | ||
Nombre de transistors 1 | ||
Dissipation de puissance maximum 455 W | ||
Type de boîtier A-247 | ||
Type de montage Traversant | ||
Type de canal P | ||
Nombre de broches 4 | ||
Vitesse de découpage 1MHz | ||
Configuration du transistor Simple | ||
Dimensions 15.8 x 5.2 x 22.74mm | ||
Indice énergétique 160mJ | ||
Température de fonctionnement minimum -55 °C | ||
Température d'utilisation maximum +175 °C | ||
Capacité de grille 3710pF | ||
- Pays d'origine :
- CN
Grâce à la toute dernière technologie IGBT à arrêt de champ, la nouvelle série de 3ème génération à arrêt de champ de Fairchild offre des performances optimales pour les applications d'inverseur solaire, d'onduleur, de poste à souder, de télécommunications, d'ESS et de PFC, dans lesquelles de faibles pertes de conduction et de commutation sont essentielles.
Température de jonction maximale : TJ = 175 °C
Coefficient de température positif pour un fonctionnement parallèle facile
Haute intensité de courant
Faible tension de saturation : VCE (sat) = 1,6 V (typique) @ IC = 75 A
100 % des pièces sont testées pour ILM(1)
Impédance d'entrée élevée
Commutation rapide
Distribution de paramètres serrée
Coefficient de température positif pour un fonctionnement parallèle facile
Haute intensité de courant
Faible tension de saturation : VCE (sat) = 1,6 V (typique) @ IC = 75 A
100 % des pièces sont testées pour ILM(1)
Impédance d'entrée élevée
Commutation rapide
Distribution de paramètres serrée