Références fabricant

IGBT onsemi, canal Type P, 75 A, 650 V, 1 MHz, 4 broches , TO-247, montage Traversant

Code commande RS:: 181-1866
Référence fabricant:: FGH75T65SHDTL4
Marque:: onsemi

IGBT onsemi, canal Type P, 75 A, 650 V, 1 MHz, 4 broches , TO-247, montage Traversant

Sous-total (450 unités, dans un tube de 450)*

1 350,00 €

1 620,00 €

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Unité	Prix par unité	le tube*
450 +	3,00 €	1 350,00 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 181-1866
Référence fabricant:: FGH75T65SHDTL4
Marque:: onsemi

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	onsemi
	Type de produit	IGBT
	Courant continu de Collecteur maximum lc	75A
	Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo	650V
	Dissipation de puissance maximum Pd	455W
	Type de Boitier	TO-247
	Type de montage	Traversant
	Type de canal	Type P
	Nombre de broches	4
	Vitesse de découpage	1MHz
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum	1.6V
	Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO	20 V
	Température d'utilisation maximum	175°C
	Normes/homologations	RoHS
	Série	Field Stop 3rd generation
	Standard automobile	Non
	Energie	160mJ

	Sélectionner tout
	Marque onsemi
	Type de produit IGBT
	Courant continu de Collecteur maximum lc 75A
	Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo 650V
	Dissipation de puissance maximum Pd 455W
	Type de Boitier TO-247
	Type de montage Traversant
	Type de canal Type P
	Nombre de broches 4
	Vitesse de découpage 1MHz
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 1.6V
	Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO 20 V
	Température d'utilisation maximum 175°C
	Normes/homologations RoHS
	Série Field Stop 3rd generation
	Standard automobile Non
	Energie 160mJ

Datasheet

Pays d'origine :: CN

Grâce à la toute dernière technologie IGBT à arrêt de champ, la nouvelle série de 3ème génération à arrêt de champ de Fairchild offre des performances optimales pour les applications d'inverseur solaire, d'onduleur, de poste à souder, de télécommunications, d'ESS et de PFC, dans lesquelles de faibles pertes de conduction et de commutation sont essentielles.

Température de jonction maximale : TJ = 175 °C

Coefficient de température positif pour un fonctionnement parallèle facile

Haute intensité de courant

Faible tension de saturation : VCE (sat) = 1,6 V (typique) @ IC = 75 A

100 % des pièces sont testées pour ILM(1)

Impédance d'entrée élevée

Commutation rapide

Distribution de paramètres serrée

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