IGBT onsemi, canal Type P, 75 A, 650 V, 1 MHz, 4 broches , TO-247, montage Traversant

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Code commande RS:
181-1889
Référence fabricant:
FGH75T65SHDTL4
Marque:
onsemi
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Marque

onsemi

Courant continu de Collecteur maximum lc

75A

Type de produit

IGBT

Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo

650V

Dissipation de puissance maximum Pd

455W

Type de Boitier

TO-247

Type de montage

Traversant

Type de canal

Type P

Nombre de broches

4

Vitesse de découpage

1MHz

Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum

1.6V

Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO

20 V

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

RoHS

Série

Field Stop 3rd generation

Energie

160mJ

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
CN
Grâce à la toute dernière technologie IGBT à arrêt de champ, la nouvelle série de 3ème génération à arrêt de champ de Fairchild offre des performances optimales pour les applications d'inverseur solaire, d'onduleur, de poste à souder, de télécommunications, d'ESS et de PFC, dans lesquelles de faibles pertes de conduction et de commutation sont essentielles.

Température de jonction maximale : TJ = 175 °C

Coefficient de température positif pour un fonctionnement parallèle facile

Haute intensité de courant

Faible tension de saturation : VCE (sat) = 1,6 V (typique) @ IC = 75 A

100 % des pièces sont testées pour ILM(1)

Impédance d'entrée élevée

Commutation rapide

Distribution de paramètres serrée

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