Module IGBT Non onsemiCanal-Type N, 35 A, 650 V, 26 broches, DIP-26 Traversant

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Code commande RS:
202-5682
Référence fabricant:
NXH35C120L2C2SG
Marque:
onsemi
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Marque

onsemi

Courant continu de Collecteur maximum lc

35A

Type de produit

Module IGBT

Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo

650V

Dissipation de puissance maximum Pd

20mW

Type de Boitier

DIP-26

Type de montage

Traversant

Type de canal

Type N

Nombre de broches

26

Température minimum de fonctionnement

-40°C

Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO

±2 V

Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum

2.4V

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

No

Longueur

73mm

Série

CIB

Hauteur

8mm

Standard automobile

Non

Le module de puissance on Semiconductor moulé par transfert contenant un circuit convertisseur-inverseur-frein composé de six redresseurs de 35 A et 1 600 V, six IGBT de 35 A et 1 200 V avec diodes inversées, un IGBT de frein de 35 A et 1 200 V avec diode de frein et une thermistance CTN.

Résistance thermique faible

Distance de dégagement de 6 mm entre la broche et le dissipateur

Broches soudables

Thermistance

Sans plomb

Sans halogène ou sans BFR

Conforme à la directive RoHS

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