IGBT, IHW30N160R5XKSA1, , 30 A, 1600 V, A-247, 3 broches
- Code commande RS:
- 218-4398
- Référence fabricant:
- IHW30N160R5XKSA1
- Marque:
- Infineon
Prix dégressifs sur quantité
Sous-total (1 tube de 30 unités)*
86,88 €
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104,25 €
TTC
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Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | 2,896 € | 86,88 € |
| 60 - 120 | 2,751 € | 82,53 € |
| 150 + | 2,635 € | 79,05 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 218-4398
- Référence fabricant:
- IHW30N160R5XKSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Courant continu de Collecteur maximum | 30 A | |
| Tension Collecteur Emetteur maximum | 1600 V | |
| Tension Grille Emetteur maximum | 20V | |
| Nombre de transistors | 1 | |
| Dissipation de puissance maximum | 263 W | |
| Type de boîtier | A-247 | |
| Type de canal | N | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Courant continu de Collecteur maximum 30 A | ||
Tension Collecteur Emetteur maximum 1600 V | ||
Tension Grille Emetteur maximum 20V | ||
Nombre de transistors 1 | ||
Dissipation de puissance maximum 263 W | ||
Type de boîtier A-247 | ||
Type de canal N | ||
Nombre de broches 3 | ||
Infineon IGBT, 30A Maximum Continuous Collector Current, 1600V Maximum Collector Emitter Voltage - IHW30N160R5XKSA1
Cet IGBT est un dispositif semi-conducteur robuste conçu pour les applications à haute tension, avec un courant collecteur maximum de 30A et fonctionnant dans une plage de température de -40°C à +175°C. Le boîtier TO-247 assure une installation pratique, tandis que ses dimensions de 16,3 x 21,5 x 5,3 mm constituent une solution compacte pour divers besoins électroniques.
Caractéristiques et avantages
• Capacité de conduction inverse pour des performances accrues
• La diode à corps monolithique réduit la perte de tension directe
• La distribution serrée des paramètres améliore la fiabilité
• Une grande robustesse améliore la durabilité dans des conditions exigeantes
• Les faibles émissions EMI garantissent un minimum d'interférences dans les circuits
• La diode à corps monolithique réduit la perte de tension directe
• La distribution serrée des paramètres améliore la fiabilité
• Une grande robustesse améliore la durabilité dans des conditions exigeantes
• Les faibles émissions EMI garantissent un minimum d'interférences dans les circuits
Applications
• Utilisé pour la cuisson par induction
• Convient aux circuits des fours à micro-ondes
• Idéal pour les commutations à haute tension
• Compatible avec les modules d'alimentation à semi-conducteurs spécialisés
• Convient aux circuits des fours à micro-ondes
• Idéal pour les commutations à haute tension
• Compatible avec les modules d'alimentation à semi-conducteurs spécialisés
Quelles sont les principales caractéristiques thermiques de cet appareil ?
La résistance thermique entre la jonction et l'environnement est de 40 K/W, et la résistance thermique entre la jonction et le boîtier est de 0,57 K/W, ce qui garantit une gestion efficace de la chaleur dans des conditions de charge.
Comment ce module IGBT gère-t-il les applications haute tension ?
Il présente une tension nominale collecteur-émetteur allant jusqu'à 1600V, ce qui le rend adapté aux environnements à haute tension tout en maintenant un fonctionnement sûr dans les limites spécifiées.
Quelles sont les implications de la dissipation maximale de puissance pour la conception ?
Avec une dissipation maximale de 263 W, il permet une gestion efficace de l'énergie, garantissant que l'appareil peut fonctionner efficacement sans surcharge thermique dans les applications typiques.