Références fabricant

IGBT Infineon, canal N, 53 A, 600 V, 30 kHz, 3 broches , TO-247, montage Traversant

Code commande RS:: 133-9873
Numéro d'article Distrelec:: 304-36-984
Référence fabricant:: IGW30N60TPXKSA1
Marque:: Infineon

IGBT Infineon, canal N, 53 A, 600 V, 30 kHz, 3 broches , TO-247, montage Traversant

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20 - 48	2,125 €	4,25 €
50 - 98	1,975 €	3,95 €
100 - 198	1,835 €	3,67 €
200 +	1,715 €	3,43 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 133-9873
Numéro d'article Distrelec:: 304-36-984
Référence fabricant:: IGW30N60TPXKSA1
Marque:: Infineon

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Courant continu de Collecteur maximum lc	53A
	Type de produit	IGBT
	Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo	600V
	Dissipation de puissance maximum Pd	200W
	Type de Boitier	TO-247
	Type de montage	Traversant
	Type de canal	N
	Nombre de broches	3
	Vitesse de découpage	30kHz
	Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum	1.8V
	Température minimum de fonctionnemen	-40°C
	Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO	20 V
	Température d'utilisation maximum	175°C
	Série	TrenchStop
	Normes/homologations	No
	Standard automobile	Non
	Energie	1.13mJ

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Courant continu de Collecteur maximum lc 53A
	Type de produit IGBT
	Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo 600V
	Dissipation de puissance maximum Pd 200W
	Type de Boitier TO-247
	Type de montage Traversant
	Type de canal N
	Nombre de broches 3
	Vitesse de découpage 30kHz
	Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 1.8V
	Température minimum de fonctionnemen -40°C
	Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO 20 V
	Température d'utilisation maximum 175°C
	Série TrenchStop
	Normes/homologations No
	Standard automobile Non
	Energie 1.13mJ

IGW30N60TP 600V IGBT TRENCHSTOP Performance Series

Pays d'origine :: CN

Transistors IGBT Infineon TrenchStop, 600 et 650 V

Une gamme de transistors IGBT d'Infineon, avec des tensions nominales du collecteur-émetteur de 600 et 650 V avec la technologie TrenchStop™. La gamme comprend des circuits avec diode intégrée haute vitesse, antiparallèle à récupération rapide.

• Plage de tensions de l'émetteur-collecteur 600 à 650 V

• VCEsat très faible

• Pertes de mise hors tension faibles

• Courant d'extrémité court

• IEM faible

• Température de jonction maximale 175 °C

IGBT Discretes et modules, Infineon

Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.

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