IGBT Non InfineonCanal-Type N, 40 A, 600 V 100 kHz, 3 broches, TO-247 Traversant

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40 - 762,148 €8,59 €
80 - 1962,048 €8,19 €
200 - 5961,865 €7,46 €
600 +1,628 €6,51 €

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Options de conditionnement :
Code commande RS:
892-2197
Référence fabricant:
IKW20N60H3FKSA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Courant continu de Collecteur maximum lc

40A

Type de produit

IGBT

Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo

600V

Dissipation de puissance maximum Pd

170W

Type de Boitier

TO-247

Type de montage

Traversant

Type de canal

Type N

Nombre de broches

3

Vitesse de découpage

100kHz

Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO

±20 V

Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum

2.5V

Température minimum de fonctionnement

-40°C

Température d'utilisation maximum

175°C

Série

TrenchStop

Normes/homologations

RoHS, JEDEC

Energie

1.07mJ

Standard automobile

Non

Infineon IGBT, 40A Maximum Continuous Collector Current, 600V Maximum Collector Emitter Voltage - IKW20N60H3FKSA1


Ce module IGBT est conçu pour les applications de commutation à grande vitesse dans le secteur de l'électronique de puissance. Le dispositif est conforme aux spécifications du boîtier IGBT TO-247 et mesure 16,13 x 5,21 x 21,1 mm. Avec une tension collecteur-émetteur maximale de 600V et un courant collecteur continu de 40A, il s'avère efficace pour diverses applications exigeantes dans les secteurs électrique et mécanique.

Caractéristiques et avantages


• Utilise la technologie TRENCHSTOP, qui permet d'obtenir un faible VCEsat

• Atteint une température de jonction maximale de 175°C pour des performances robustes

• Comprend une diode antiparallèle à récupération rapide et douce qui améliore la fiabilité

• Assure une vitesse de commutation de 100 kHz pour un fonctionnement efficace

Applications


• Utilisé dans les alimentations sans interruption pour un fonctionnement fiable

• Efficace dans les convertisseurs de soudage pour un soudage de haute performance

• Convient aux convertisseurs exigeant une fréquence de commutation élevée

Quelles sont les caractéristiques de résistance thermique de ce module ?


La résistance thermique entre la jonction et le boîtier est de 0,88 K/W, tandis que la résistance thermique de la diode entre la jonction et le boîtier est de 1,89 K/W, ce qui garantit une dissipation efficace de la chaleur dans les environnements exigeants.

Comment l'IGBT gère-t-il les courts-circuits et la dissipation de puissance ?


Il supporte un courant de collecteur pulsé allant jusqu'à 80A et une capacité de dissipation de puissance de 170W, ce qui permet d'obtenir des performances robustes dans des conditions de court-circuit. Le dispositif peut gérer jusqu'à 1000 courts-circuits avec un temps de fonctionnement sûr de 5μs.

Quelle est l'importance de la capacité de grille dans cet IGBT ?


La capacité de grille de 1100pF contribue au contrôle efficace de la tension grille-émetteur, ce qui permet d'optimiser les caractéristiques de commutation et de réduire les pertes d'énergie pendant le fonctionnement.

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