IGBT, IKW20N60H3FKSA1, , 40 A, 600 V, A-247, 3 broches, Simple
- Code commande RS:
- 892-2197
- Référence fabricant:
- IKW20N60H3FKSA1
- Marque:
- Infineon
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 4 - 36 | 2,653 € | 10,61 € |
| 40 - 76 | 2,148 € | 8,59 € |
| 80 - 196 | 2,048 € | 8,19 € |
| 200 - 596 | 1,865 € | 7,46 € |
| 600 + | 1,628 € | 6,51 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 892-2197
- Référence fabricant:
- IKW20N60H3FKSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Courant continu de Collecteur maximum | 40 A | |
| Tension Collecteur Emetteur maximum | 600 V | |
| Tension Grille Emetteur maximum | ±20V | |
| Dissipation de puissance maximum | 170 W | |
| Nombre de transistors | 1 | |
| Type de boîtier | A-247 | |
| Configuration | Simple | |
| Type de montage | Traversant | |
| Type de canal | N | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Vitesse de découpage | 100kHz | |
| Configuration du transistor | Simple | |
| Dimensions | 16.13 x 5.21 x 21.1mm | |
| Température de fonctionnement minimum | -40 °C | |
| Capacité de grille | 1100pF | |
| Température d'utilisation maximum | +175 °C | |
| Indice énergétique | 1.07mJ | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Courant continu de Collecteur maximum 40 A | ||
Tension Collecteur Emetteur maximum 600 V | ||
Tension Grille Emetteur maximum ±20V | ||
Dissipation de puissance maximum 170 W | ||
Nombre de transistors 1 | ||
Type de boîtier A-247 | ||
Configuration Simple | ||
Type de montage Traversant | ||
Type de canal N | ||
Nombre de broches 3 | ||
Vitesse de découpage 100kHz | ||
Configuration du transistor Simple | ||
Dimensions 16.13 x 5.21 x 21.1mm | ||
Température de fonctionnement minimum -40 °C | ||
Capacité de grille 1100pF | ||
Température d'utilisation maximum +175 °C | ||
Indice énergétique 1.07mJ | ||
Infineon IGBT, 40A Maximum Continuous Collector Current, 600V Maximum Collector Emitter Voltage - IKW20N60H3FKSA1
Ce module IGBT est conçu pour les applications de commutation à grande vitesse dans le secteur de l'électronique de puissance. Le dispositif est conforme aux spécifications du boîtier IGBT TO-247 et mesure 16,13 x 5,21 x 21,1 mm. Avec une tension collecteur-émetteur maximale de 600V et un courant collecteur continu de 40A, il s'avère efficace pour diverses applications exigeantes dans les secteurs électrique et mécanique.
Caractéristiques et avantages
• Utilise la technologie TRENCHSTOP, qui permet d'obtenir un faible VCEsat
• Atteint une température de jonction maximale de 175°C pour des performances robustes
• Comprend une diode antiparallèle à récupération rapide et douce qui améliore la fiabilité
• Assure une vitesse de commutation de 100 kHz pour un fonctionnement efficace
• Atteint une température de jonction maximale de 175°C pour des performances robustes
• Comprend une diode antiparallèle à récupération rapide et douce qui améliore la fiabilité
• Assure une vitesse de commutation de 100 kHz pour un fonctionnement efficace
Applications
• Utilisé dans les alimentations sans interruption pour un fonctionnement fiable
• Efficace dans les convertisseurs de soudage pour un soudage de haute performance
• Convient aux convertisseurs exigeant une fréquence de commutation élevée
• Efficace dans les convertisseurs de soudage pour un soudage de haute performance
• Convient aux convertisseurs exigeant une fréquence de commutation élevée
Quelles sont les caractéristiques de résistance thermique de ce module ?
La résistance thermique entre la jonction et le boîtier est de 0,88 K/W, tandis que la résistance thermique de la diode entre la jonction et le boîtier est de 1,89 K/W, ce qui garantit une dissipation efficace de la chaleur dans les environnements exigeants.
Comment l'IGBT gère-t-il les courts-circuits et la dissipation de puissance ?
Il supporte un courant de collecteur pulsé allant jusqu'à 80A et une capacité de dissipation de puissance de 170W, ce qui permet d'obtenir des performances robustes dans des conditions de court-circuit. Le dispositif peut gérer jusqu'à 1000 courts-circuits avec un temps de fonctionnement sûr de 5μs.
Quelle est l'importance de la capacité de grille dans cet IGBT ?
La capacité de grille de 1100pF contribue au contrôle efficace de la tension grille-émetteur, ce qui permet d'optimiser les caractéristiques de commutation et de réduire les pertes d'énergie pendant le fonctionnement.
IGBT Discretes et modules, Infineon
Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.