IGBT, FP15R12W1T7B11BOMA1, , 15 A, 1200 V, EasyPIM, 23 broches
- Code commande RS:
- 226-6056
- Référence fabricant:
- FP15R12W1T7B11BOMA1
- Marque:
- Infineon
Prix dégressifs sur quantité
Sous-total (1 plateau de 24 unités)*
602,208 €
HT
722,64 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 28 août 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le plateau* |
|---|---|---|
| 24 - 24 | 25,092 € | 602,21 € |
| 48 + | 23,838 € | 572,11 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 226-6056
- Référence fabricant:
- FP15R12W1T7B11BOMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Courant continu de Collecteur maximum | 15 A | |
| Tension Collecteur Emetteur maximum | 1200 V | |
| Tension Grille Emetteur maximum | 20V | |
| Nombre de transistors | 7 | |
| Dissipation de puissance maximum | 20 mW | |
| Type de boîtier | EasyPIM | |
| Configuration | Sextuple | |
| Type de canal | N | |
| Nombre de broches | 23 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Courant continu de Collecteur maximum 15 A | ||
Tension Collecteur Emetteur maximum 1200 V | ||
Tension Grille Emetteur maximum 20V | ||
Nombre de transistors 7 | ||
Dissipation de puissance maximum 20 mW | ||
Type de boîtier EasyPIM | ||
Configuration Sextuple | ||
Type de canal N | ||
Nombre de broches 23 | ||
Le module IGBT PIM Infineon 15 A offre une plus grande densité de puissance et un coût système plus faible. Il est doté d'une faible tension d'état VCEsat et Vf.
Meilleure contrôlabilité de dv/dt
Pertes de commutation optimisées pour dv/dt 5 kV/μs
Résistance aux courts-circuits de 8 μs
Pertes de commutation optimisées pour dv/dt 5 kV/μs
Résistance aux courts-circuits de 8 μs
