IGBT Non InfineonCanal-Type N, 15 A, 1200 V, 23 broches, EasyPIM Serre-joints
- Code commande RS:
- 226-6057
- Référence fabricant:
- FP15R12W1T7B11BOMA1
- Marque:
- Infineon
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 - 1 | 31,98 € |
| 2 - 4 | 30,38 € |
| 5 - 9 | 27,35 € |
| 10 + | 27,18 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 226-6057
- Référence fabricant:
- FP15R12W1T7B11BOMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Courant continu de Collecteur maximum lc | 15A | |
| Type de produit | IGBT | |
| Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo | 1200V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 20mW | |
| Type de Boitier | EasyPIM | |
| Type de montage | Serre-joints | |
| Type de canal | Type N | |
| Nombre de broches | 23 | |
| Température minimum de fonctionnement | -40°C | |
| Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum | 1.82V | |
| Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO | 20 V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Série | FP15 | |
| Longueur | 33.8mm | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Hauteur | 12mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Courant continu de Collecteur maximum lc 15A | ||
Type de produit IGBT | ||
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo 1200V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 20mW | ||
Type de Boitier EasyPIM | ||
Type de montage Serre-joints | ||
Type de canal Type N | ||
Nombre de broches 23 | ||
Température minimum de fonctionnement -40°C | ||
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 1.82V | ||
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO 20 V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Série FP15 | ||
Longueur 33.8mm | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Hauteur 12mm | ||
Standard automobile Non | ||
Le module IGBT PIM Infineon 15 A offre une plus grande densité de puissance et un coût système plus faible. Il est doté d'une faible tension d'état VCEsat et Vf.
Meilleure contrôlabilité de dv/dt
Pertes de commutation optimisées pour dv/dt 5 kV/μs
Résistance aux courts-circuits de 8 μs
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