IGBT, IKFW90N60EH3XKSA1, , 77 A, 600 V, PG-TO247, 3 broches, Simple
- Code commande RS:
- 226-6102
- Référence fabricant:
- IKFW90N60EH3XKSA1
- Marque:
- Infineon
Prix dégressifs sur quantité
Sous-total (1 tube de 30 unités)*
228,72 €
HT
274,47 €
TTC
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Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | 7,624 € | 228,72 € |
| 60 - 60 | 7,243 € | 217,29 € |
| 90 + | 6,785 € | 203,55 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 226-6102
- Référence fabricant:
- IKFW90N60EH3XKSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Courant continu de Collecteur maximum | 77 A | |
| Tension Collecteur Emetteur maximum | 600 V | |
| Tension Grille Emetteur maximum | 30V | |
| Dissipation de puissance maximum | 178 W | |
| Nombre de transistors | 1 | |
| Configuration | Simple | |
| Type de boîtier | PG-TO247 | |
| Type de canal | N | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Configuration du transistor | Simple | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Courant continu de Collecteur maximum 77 A | ||
Tension Collecteur Emetteur maximum 600 V | ||
Tension Grille Emetteur maximum 30V | ||
Dissipation de puissance maximum 178 W | ||
Nombre de transistors 1 | ||
Configuration Simple | ||
Type de boîtier PG-TO247 | ||
Type de canal N | ||
Nombre de broches 3 | ||
Configuration du transistor Simple | ||
Infineon IKFW90N60EH3 est une diode antiparallèle à récupération rapide et très souple, qui utilise une surface de montage isolée à 100 % et est également dotée d'une commutation haute vitesse. Il est facile à mettre en parallèle et n'a pas besoin d'utiliser de matériau d'isolation et de graisse thermique.
VCE(sat) faible
Court-circuit avec une température de fonctionnement de 5 μ sat de 175 °C.
Coefficient de température positif en VCE(sat)
Faible EMI
Court-circuit avec une température de fonctionnement de 5 μ sat de 175 °C.
Coefficient de température positif en VCE(sat)
Faible EMI