Module IGBT Non Infineon Simple, 1.8 kA, 4500 V, AG-IHVB190 3
- Code commande RS:
- 236-5196
- Référence fabricant:
- FZ1800R45HL4S7BPSA1
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 unité)*
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 + | 1 552,52 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 236-5196
- Référence fabricant:
- FZ1800R45HL4S7BPSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | Module IGBT | |
| Courant continu de Collecteur maximum lc | 1.8kA | |
| Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo | 4500V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 4000KW | |
| Nombre de transistors | 3 | |
| Configuration | Simple | |
| Type de Boitier | AG-IHVB190 | |
| Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum | 3.15V | |
| Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO | 25 V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -40°C | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 190mm | |
| Hauteur | 38.5mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit Module IGBT | ||
Courant continu de Collecteur maximum lc 1.8kA | ||
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo 4500V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 4000KW | ||
Nombre de transistors 3 | ||
Configuration Simple | ||
Type de Boitier AG-IHVB190 | ||
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 3.15V | ||
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO 25 V | ||
Température minimum de fonctionnemen -40°C | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 190mm | ||
Hauteur 38.5mm | ||
Standard automobile Non | ||
Le module IGBT Infineon à commutateur simple avec IGBT4 à arrêt de champ/tranchée, diode 4 à commande d'émetteur et plaque de base ALSIC isolée est la meilleure solution pour les applications HVDC. Il est doté d'une stabilité c.c. élevée et d'une robustesse dynamique élevée.
Le VCES est de 4 500 V.
IC nom est de 1 800 A.
Le module ICRM est de 3 600 A.
Il est doté d'une capacité de court-circuit élevée
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