Module IGBT Non Infineon Simple, 825 A, 3300 V, AG-IHVB130 2
- Code commande RS:
- 236-5198
- Référence fabricant:
- FZ825R33HE4DBPSA1
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 plateau de 2 unités)*
2 473,54 €
HT
2 968,24 €
TTC
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Unité | Prix par unité | le plateau* |
|---|---|---|
| 2 + | 1 236,77 € | 2 473,54 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 236-5198
- Référence fabricant:
- FZ825R33HE4DBPSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | Module IGBT | |
| Courant continu de Collecteur maximum lc | 825A | |
| Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo | 3300V | |
| Nombre de transistors | 2 | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 2400kW | |
| Type de Boitier | AG-IHVB130 | |
| Configuration | Simple | |
| Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO | ±20 V | |
| Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum | 2.65V | |
| Température minimum de fonctionnement | -40°C | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | 60749, 60068, IEC 60747 | |
| Longueur | 109.9mm | |
| Hauteur | 16.4mm | |
| Largeur | 62 mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit Module IGBT | ||
Courant continu de Collecteur maximum lc 825A | ||
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo 3300V | ||
Nombre de transistors 2 | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 2400kW | ||
Type de Boitier AG-IHVB130 | ||
Configuration Simple | ||
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO ±20 V | ||
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 2.65V | ||
Température minimum de fonctionnement -40°C | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations 60749, 60068, IEC 60747 | ||
Longueur 109.9mm | ||
Hauteur 16.4mm | ||
Largeur 62 mm | ||
Standard automobile Non | ||
Le module IGBT Infineon à commutateur simple est doté d'une diode TrenchStop TM IGBT4 et d'une diode à commande d'émetteur 4. Ce module est doté d'une densité de puissance élevée et d'une plaque de base ALSIC pour une plus grande capacité de cycle thermique.
Le VCES est de 3 300 V.
IC nom est de 825 A.
L'ICRM est de 1 650 A.
Il conserve une forte densité de courant