Module IGBT, FZ825R33HE4DBPSA1, , 825 A, 3300 V, AG-IHVB130

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Code commande RS:
236-5198
Référence fabricant:
FZ825R33HE4DBPSA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Courant continu de Collecteur maximum

825 A

Tension Collecteur Emetteur maximum

3300 V

Dissipation de puissance maximum

2 400 kW

Nombre de transistors

2

Configuration

Simple

Type de boîtier

AG-IHVB130

Le module IGBT Infineon à commutateur simple est doté d'une diode TrenchStop TM IGBT4 et d'une diode à commande d'émetteur 4. Ce module est doté d'une densité de puissance élevée et d'une plaque de base ALSIC pour une plus grande capacité de cycle thermique.

Le VCES est de 3 300 V.
IC nom est de 825 A.
L'ICRM est de 1 650 A.
Il conserve une forte densité de courant

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