Module IGBT, FZ825R33HE4DBPSA1, , 825 A, 3300 V, AG-IHVB130
- Code commande RS:
- 236-5199
- Référence fabricant:
- FZ825R33HE4DBPSA1
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 unité)*
1 124,13 €
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 + | 1 124,13 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 236-5199
- Référence fabricant:
- FZ825R33HE4DBPSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Courant continu de Collecteur maximum | 825 A | |
| Tension Collecteur Emetteur maximum | 3300 V | |
| Dissipation de puissance maximum | 2 400 kW | |
| Nombre de transistors | 2 | |
| Configuration | Simple | |
| Type de boîtier | AG-IHVB130 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Courant continu de Collecteur maximum 825 A | ||
Tension Collecteur Emetteur maximum 3300 V | ||
Dissipation de puissance maximum 2 400 kW | ||
Nombre de transistors 2 | ||
Configuration Simple | ||
Type de boîtier AG-IHVB130 | ||
Le module IGBT Infineon à commutateur simple est doté d'une diode TrenchStop TM IGBT4 et d'une diode à commande d'émetteur 4. Ce module est doté d'une densité de puissance élevée et d'une plaque de base ALSIC pour une plus grande capacité de cycle thermique.
Le VCES est de 3 300 V.
IC nom est de 825 A.
L'ICRM est de 1 650 A.
Il conserve une forte densité de courant
IC nom est de 825 A.
L'ICRM est de 1 650 A.
Il conserve une forte densité de courant