IGBT Non onsemi, 650 V, 3 broches, TO-247-3L Surface
- Code commande RS:
- 241-0731
- Référence fabricant:
- FGHL50T65MQDT
- Marque:
- onsemi
Sous-total (1 tube de 450 unités)*
1 112,40 €
HT
1 334,70 €
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Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 450 + | 2,472 € | 1 112,40 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 241-0731
- Référence fabricant:
- FGHL50T65MQDT
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de produit | IGBT | |
| Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo | 650V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 268W | |
| Type de Boitier | TO-247-3L | |
| Type de montage | Surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO | 20 V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Hauteur | 4.82mm | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Série | FGHL50T65MQDT | |
| Largeur | 20.82 mm | |
| Longueur | 15.87mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de produit IGBT | ||
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo 650V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 268W | ||
Type de Boitier TO-247-3L | ||
Type de montage Surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO 20 V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Hauteur 4.82mm | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Série FGHL50T65MQDT | ||
Largeur 20.82 mm | ||
Longueur 15.87mm | ||
Standard automobile Non | ||
IGBT à vitesse de commutation moyenne Semi-conducteur ON, 650 V, 50 A FS4 Cela offre des performances optimales en équilibrant les pertes Vce(sat) et Eoff et en dépassement Vce bien contrôlable. Bien adapté pour les inverseurs solaires, les onduleurs, les stations de charge EV, les ESS et autres applications de conversion de puissance haute performance.
Coefficient de température positif
Fonctionnement facile en parallèle
Pertes de commutation
Faibles pertes de conduction